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初等/五等/佐級◆電子學大意
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109年 - 109 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#94583
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34 圖示電路為 CMOS 運算放大器,則下列敘述何者正確?
(A) Q
1
與 Q
2
是 AB 類功率放大器
(B) Q
3
與 Q
4
提供主動負載
(C) Q
5
為共閘極放大器
(D) Q
6
與 Q
8
提供保護電路
答案:
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統計:
A(14), B(66), C(11), D(16), E(0) #2572623
詳解 (共 1 筆)
Petrus
B1 · 2020/12/25
#4459662
(A) Q1, Q2 是差動對放大器 ...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/10/21
私人筆記#7508561
未解鎖
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相關試題
1 N 型半導體的主要載子為: (A)電洞 (B)中子 (C)質子 (D)電子
#2572590
2 一個二極體 pn 接面逆偏時,所存在的主要電容是: (A)空乏電容 (B)擴散電容 (C)耦合電容 (D)旁路電容
#2572591
3 圖示 MOS 場效電晶體電路,電晶體之,若電晶體在飽和區工作,則電壓的最小值為若干 V? (A)1 (B)2 (C)3(D)4
#2572592
4 圖示電路中場效電晶體(FET)之 Vt = −0.7 V,下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區(Triode Region)? (A) (B) (C) (D)
#2572593
5 有一運算放大器如下圖所示,已知其轉移方程式(transfer function)為 V3=1002×V2−998×V1,請問其 共模排斥比 CMRR(common-mode rejection ratio)約為多少? (A)24 dB (B)36 dB (C)48 dB (D)60 dB
#2572594
6 如圖為定電流源電路,若 Q1和 Q2電晶體的輸出阻抗 ro 和電流增益 β 所引起的效應不計,已知, ,欲使電流為 Io = 1mA,試求電阻 R =? (A)5.7 kΩ (B)4.7 kΩ (C)4.3 kΩ R (D)3.3 kΩ
#2572595
7 設計類比電路時,若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體(BJT),一般情形最常使用到 BJT 的那一種 偏壓模式? (A)飽和模式(Saturation mode) (B)線性模式(Linear mode) (C)順向主動模式(Forward active mode) (D)逆向主動模式(Reverse active mode)
#2572596
8 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳的電壓波形如下所示,,R1 = R2 = 1 kΩ, R3 = R4 = 100 Ω,,電晶體電流增益。試研判輸出接腳在高準位輸出(Vo@HI) 時最可能的工作電壓。 (A) Vo@HI= 5 V(B) Vo@HI~ 4.8 V (C) 4.8 V> Vo@HI> 4.3 V (D) Vo@HI< 4.3 V
#2572597
9 CMOS 反相器結構係由一個 n 通道增強型 MOSFET 與一個 p 通道增強型 MOSFET 組成,p 通道 MOSFET 之源極接,n 通道 MOSFET 之源極接地。下列何者正確? (A)若閘極輸入電位為0,p 通道 MOSFET 導通 (B)若閘極輸入電位為 ,輸出電位將為 /2 (C)若 CMOS 輸出電位為0,n 通道 MOSFET 關閉 (D)若 CMOS 輸出電位為 ,將有電流持續通過兩個 MOSFET
#2572598
10 如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體特性相同;。若 = 5 V, 則電晶體的汲極直流偏壓電流為多少? (A)100 μA (B)200 μA (C)400 μA (D)1.6 mA
#2572599
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