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試題詳解

試卷:97年 - 97 初等考試_電子工程:電子學大意#38824 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:97年 - 97 初等考試_電子工程:電子學大意#38824

年份:97年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

35在N-通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)的小信號等效電路中,其互導 (transconductance)gm 與其閘極之寬長比(W/L)及閘極-源極電壓差VGS之關係,下列 何者正確?
(A)gm 會隨(W/L)的增加而增加,並隨VGS的增加而增加
(B)gm 會隨(W/L)的增加而增加,並隨VGS的增加而減少
(C)gm 會隨(W/L)的增加而減少,並隨VGS的增加而增加
(D)gm 會隨(W/L)的增加而減少,並隨VGS的增加而減少
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