36 假設在室溫之下，矽半導體之本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）ni為 1010 cm-3 ，若已知某一矽半 導體之電子濃度為 2× 1017 cm-3 ，則其電洞濃度為何？
(A) 2× 1017 cm-3  
(B) 2× 1027   cm-3  
(C) 2× 107 cm-3  
(D) 5× 102  cm-3 

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統計： A(5), B(1), C(5), D(45), E(0) #852664

詳解 (共 1 筆)

#4556994

ni^2=n*p

p=10^20/（2＊10^１７）＝５＊１０^２

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