37 如圖所示之電路為一 n-bit 之位址解碼器（address decoder）。假設一記憶體安排為方形陣列（square array）型式，而行與列之位址解碼器採用如圖所示之方式，求 4K 記憶體所需之解碼器電晶體數目為何？ 
(A)384
(B)564
(C)896
(D)1024

38 有一感知放大器（sense amplifier, SA）細部的電晶體電路如下圖所示，並顯示出等效寄生的電容CD、。當時脈ΦS=0 時，感知放大器不動作；當時脈ΦS=1 時，感知放大器才會動作。設每一對PMOS-NMOS 串聯路徑的轉移特性（voltage transfer characteristic, VTC）經適當設計後，其轉態的輸入準位為 0.5VDD，如下圖所示。若時脈ΦS=由 0 轉成 1 之前，已知位元信號線D、  的電壓分別為VD=0.4 VDD、 =0.6 VDD，當時脈ΦS=1 後，試分析位元信號線D、 D 最終穩定的電壓： (A)信號線D最終穩定的電壓接近 0 V、信號線 D 最終穩定的電壓接近VDD (B)信號線D最終穩定的電壓接近 0.3 VDD、信號線 D 最終穩定的電壓接近 0.7 VDD (C)信號線D、  最終穩定的電壓接近 0.5 VDD (D)信號線D最終穩定的電壓接近 0.6 VDD、信號線  終穩定的電壓接近 0.4 VDD

39 下列有關於 DRAM 電路儲存資料方式的描述何者最正確？ (A)資料儲存於電容 (B)資料儲存於正反器（flip flop） (C)資料儲存在閂鎖器（latch） (D)資料儲存於電感

40 記憶體晶片在 5 V 電源下，以 100 ns 週期連續操作，晶片功率消耗為 400 mW，在任一週期中有動作的所有邏輯的總電容約為何？ (A)0.8 nF (B)1 nF (C)1.6 nF (D)2 nF

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