37. 不論史密特觸發器(Schmitt Trigger)之輸入信號為何種波形，其輸出波形皆為：
(A) 脈波
(B) 鋸齒波
(C) 正弦波
(D) 三角波

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38. 已知雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT)有主動區與飽和區，關於主動區與飽和區之特性，下列敘述何者正確？ (A) 主動區：電阻特性；飽和區：電流源特性 (B) 主動區：電流源特性；飽和區：電阻特性 (C) 主動區：電流源特性；飽和區：電流源特性 (D) 主動區：電阻特性；飽和區：電阻特性

39. 以電阻R、電容C及運算放大器組成一個無穩態多諧振盪器，下列敘述何者錯誤？ (A) 運算放大器之輸出電壓為脈波 (B) 電容C上的電壓近似三角波 (C) 輸出電壓有2種位準 (D) 輸出電壓與輸入電壓振幅有關

40. 關於MOSFET的共源極組態，下列特性何者完全正確？ (A) 輸入阻抗無限大，且輸出阻抗非常小 (B) 可以當作電壓緩衝器使用 (C) 可以當作電流緩衝器使用 (D) 輸入阻抗無限，且輸出阻抗非常大

41. 關於共集極(Common Collector)組態相較於CB、CE組態之特性，下列敘述何者正確？ (A) 輸入電阻Ri最高 (B) 輸出電阻Ro最高 (C) 電壓增益AV最高 (D) 電流增益AI最低

42. 如圖(九)電路架構，若 PMOS 在偏壓下的飽和電流小於 NMOS 在偏壓下的飽和電流，則PMOS 與NMOS 最後會操作在哪一區？ (A) PMOS操作在三級管區； NMOS操作在飽和區 (B) PMOS操作在飽和區； NMOS操作在三級管區 (C) PMOS操作在飽和區； NMOS操作在飽和區 (D) PMOS操作在三級管區； NMOS操作在三級管區

43. 若有一MOSFET，當Source與Body共接時，會產生何種元件在Drain端與Source端之間？ (A) 金氧半場效電晶體 (B) 二極體 (C) 雙載子接面電晶體 (D) 閘流體

44. 如圖(十)所示電路中，=10mA，則=？ (A) 1V (B) 2V (C) 3V (D) 4V

45. 如圖(十一)所示之運算放大器為理想特性，下列敘述何者錯誤？ (A) 之波形為三角波 (B) 此電路可產生週期性信號 (C) 0.1μF電容之電壓波近似三角波 (D) 之頻率可由電阻或電容決定

46. 有一差動放大器之兩端輸入訊號分別為v1=4V、v2=–4V時，其輸出為40V；若輸入改為 v1=3V、v2=1V時，其輸出為10.01V，則此差動放大器之共模拒斥比(CMRR)為何？ (A) 30 dB (B) 40 dB (C) 50 dB (D) 60 dB

47. 如圖(十二)所示放大器，其中JFET之 =5mA/V，若忽略歐力效應(Early Effect)對 JFET的影響，電容也皆視為理想元件，則此放大器之小信號電壓增益為何？ (A) 3 / 4 (B) 5 / 6 (C) 6 / 7 (D) 7 / 8

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