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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38796
> 試題詳解
38 在下列何者條件下，增強型N通道MOSFET，會有通道產生並使汲極電流I
D
流通（I
D
＞0）？（ V
t
為臨限電壓（Threshold Voltage））
(A)V
DS
＞0，V
GS
＜V
t
(B)V
DS
＞0，V
GS
＞V
t
(C)V
DS
＜0，V
GS
＜V
t
(D)V
DS
＜0，V
GS
＞V
t
答案：
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統計：
A(1), B(56), C(3), D(7), E(0) #1108706
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/08
#2177587
增強型N通道，VT > 0VGS ...
(共 54 字，隱藏中）
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相關試題
1 如圖所示電路，若電晶體飽和之VCE sat＝0.2 V，IRL＜VCC－0.2 V，則輸出電壓υO之最負值υO min為： (A)-VCC+2 V (B)-VCC (C)-VCC－0.2 V (D)- I•RL
#1108669
2 如圖所示電路若為帶通濾波器（Band Pass Filter），則下列那一項R1、R2、C1、C2組合之設計值錯誤？ (A)R1＝1 kΩ，C1＝0.01 μF，R2＝2 kΩ，C2＝0.1 μF (B)R1＝2 kΩ，C1＝0.01 μF，R2＝1 kΩ，C2＝0.1 μF (C)R1＝1 kΩ，C1＝0.1 μF，R2＝2 kΩ，C2＝0.01 μF (D)R1＝5 kΩ，C1＝0.1 μF，R2＝50 kΩ，C2＝0.05 μF
#1108670
3 如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若VCC＝5 V且輸入電壓VA＝0 V且VB ＝5 V，則下列敘述何者正確？ (A) Q2導通、Q3導通、Q4不導通、輸出電壓VO＝High (B)Q2導通、Q3導通、Q4導通、輸出電壓VO＝High (C) Q2不導通、Q3不導通、Q4不導通、輸出電壓VO=Low(D)Q2不導通、Q3不導通、Q4導通、輸出電壓VO=Low
#1108671
4 如圖所示電路，其中R1C1＞R2C2，則AV＝Vo/Vi的頻率響應圖是下列何者？
#1108672
5 如圖所示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12 V、R1＝20 kΩ、R2＝40 kΩ，當vI為 1 V時， 此輸出電壓vO為何？ (A)-2 V (B) 2 V (C) 3 V (D) 12 V 或-12 V 皆有可能
#1108673
6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？ (A)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance）gm較 操作在三極管區（Triode Region）時大 (B)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）時之輸出阻抗ro較操作在三極管 區（Triode Region）時小 (C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高 (D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電
#1108674
7 如圖的電流鏡電路中，電晶體Q1、Q2具相同特性，其臨限電壓為Vt。要使輸出電流Io最接近IREF，則 輸出電壓Vo應： (A)Vo＝VGS (B)Vo＝Vt (C)Vo＝VGS－V t (D)Vo＝VGS＋Vt
#1108675
8－3 8 如圖所示之增強（Enhancement）型金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器，已知在工作點的轉移電 導（Transconductance）gm為 1.5 mS，閘源極臨界電壓（Threshold Voltage）VGS(th)為 3 V，不考慮接 面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響，則此放大器的電壓增益Av(＝Vo/Vi)約為多少？ (A) 13.3(B)9.8(C) 6.5 (D) 3.3
#1108676
9 一個p+n接面二極體，其p型側的雜質濃度NA，遠大於n型側的雜質濃度ND，則在下列四個選項中，那一 項對p+n接面二極體的逆向飽和電流IS的影響最小？ (A)接面面積 (B)溫度 (C)p型區雜質濃度NA (D)n型區雜質濃度ND
#1108677
10 圖中電晶體β＝100，VBE(sat)＝0.8 V及VCE(sat)＝0.2 V，若要使電晶體在飽和區工作，則最大值RB約為：(A) 520 kΩ (B) 430 kΩ (C) 340 kΩ (D) 210 kΩ
#1108678
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