39 當MOSFET工作於飽和區（saturation region）時，其ID與VGS的關係為何？（下式中Vt為MOSFET之臨限電壓 （threshold voltage））
 
(A)ID與VGS幾乎無關 

(B)ID正比於VGS 

(C)ID正比於（VGS-Vt）
 
(D)ID正比於（VGS-Vt）2

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統計： A(4), B(4), C(3), D(63), E(0) #1109024