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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#38801
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
97年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 在共射極（common emitter）連接時，關於看入基極（base）的交流阻抗rπ與其大信號集極直流操作電流IC以 及操作溫度T之關係，下列何者正確？ (A)rπ會隨IC的增加而增加，並會隨T的增加而增加 (B)rπ會隨IC的增加而減少，並會隨T的增加而增加 (C)rπ會隨IC的增加而增加，並會隨T的增加而減少 (D)rπ會隨IC的增加而減少，並會隨T的增加而減少
2 在交流放大器之輸出級，下列何者型態的阻抗匹配特性最佳？ (A)共基極放大器 (B)共射極放大器 (C)共集極放大器 (D)共源極放大器
3 在 BJT 交流放大器中，負載效應可以產生下列何種結果？ (A)減少電壓增益 (B)增加輸出阻抗 (C)增加電壓增益 (D)增加電流增益
4 如圖所示將一電感 L 與一電容 C 相並聯後串接於一線性電路 中，若此並聯電路的一端接輸入端，另一端接輸出端。輸入 端與輸出端有共同接地點，則此並聯電路為：
(A)低通（low pass）濾波器 (B)高通（high pass）濾波器 (C)帶通（band pass）濾波器 (D)帶拒（band reject）濾波器
5 某回授電路的閉迴路（closed-loop）增益可表示為
，其中 A(s)為開迴路時順向增益，β(s) 為回授電路的增益。則此閉迴路電路振盪的條件是 A(s)β(s)約為： (A) 0 (B)-0.5 (C)-1 (D) 100
6如圖所示為 555 計時器IC所組成之電路，其中若R
1
= 2.2kΩ， R
2
= 4.7kΩ，C
1
= 0.022μF，C
2
= 0.01μF，則其輸出之頻率約為：
(A) 3.92kHz (B) 5.64 kHz (C) 7.12 kHz (D) 9.49 kHz
7 所謂超級二極體（super diode），係將二極體接在何處？ (A)運算放大器之負回授迴路 (B)運算放大器之正回授迴路 (C)運算放大器的兩輸入端之間 (D)將兩個二極體並聯
8 某低通濾波器的時間常數很大，則此濾波器可近似為： (A)微分器 (B)積分器 (C)加法器 (D)振盪器
9 如圖所示為一交流耦合共射極放大器之頻率響應曲線， 在ω
H
附近，增益|T|的下降是受何種因素的影響？ (A)耦合電容 (B)阻隔電容 (C)電晶體的內部電容 (D)輸入阻抗太大
10 選用一部信號產生器的正弦波，將其輸入如圖所示電路 的V
i
端，已知此正弦波的振幅為固定，但其頻率可以有四 種不同的選擇，分別如下列四個選項所示。則輸入信號 的頻率為何時，電路的輸出端V
o
有最大的電壓？ (A) 100 kHz (B) 10 kHz (C) 5 kHz (D) 100Hz
11 如圖所示電路之邏輯功能為何？
(A) AND (B) NAND (C) OR (D) NOR
12 CMOS 反相器（Inverter）中，NMOS 和 PMOS 的源極（Source）應該如何連接？ (A)NMOS和PMOS源極接在一起 (B)NMOS的源極接地，PMOS的源極接V
DD
(C)NMOS的源極接V
DD
，PMOS的源極接地 (D)NMOS的源極接地，PMOS的源極接輸出
13 如圖所示的電路，當 S = 1 而且 R = 0 時，此電路的 Q 端的值 為何？（註：Q（n-1）及
（n-1）分別為 Q 端及
端先前 輸出狀況）
(A) 1 (B) 0 (C) Q（n-1） (D)
（n-1）
14 共射極放大器的低頻響應，主要受下列何種電容影響？ (A)米勒（Miller）電容 (B)雜散電容 (C)射極旁路電容 (D)電晶體內部電容
15 有一正反器只有一個輸入端，若加入輸入訊號後，其功能為在一個時鐘脈衝後會將此輸入訊號傳送至輸出， 則此正反器為： (A) D 型正反器 (B) T 型正反器 (C) SR 正反器 (D) JK 正反器
16 在快閃記憶體的記憶胞結構中，浮動閘的功用為何？
(A)防止離子佈植中的離子穿入矽基板 (B)加強所有閘極的強度 (C)儲存資料 (D)使閘極浮動
17 如圖所示電路是一個雙極性接面電晶體（BJT）電路， 假設電晶體的V
EB
= 0.7V、β = 50，則A點最接近的電 壓值為
： (A)-3V (B)-7V (C) 3V (D)-1V
18 應用於運算放大器的輸入端電路，通常是屬於下列何者？ (A)達令頓（Darlington）電路 (B) AB 類放大器 (C) A 類放大器 (D)差動放大器（Differential amplifier）
19 某兩級串接放大器的電流增益均為 10，則此系統電流增益為多少分貝（dB）？(A)20(B)30(C)40(D)50
20 如圖所示之電路，其小信號之輸入電阻R
i
為：
(A) 0 (B)r
π
(C)r
e
(D)r
π
(1+g
m
R
E
)
21 A 類功率放大器的輸出效率通常遠比 B 類及 C 類放大器為低，其主要原因為何？ (A)交流負載線與直流負載線重疊 (B)工作點很穩定 (C)集極電壓和基極電壓反向 (D)靜態電流大，使得直流功率損耗偏高
22 對雙極性接面電晶體共集極電路之描述，下列何者正確？ (A)功率增益最高 (B)電壓增益最高 (C)輸入阻抗最高 (D)電流增益最高
23 則V
d
的最大範圍值為： (A)±17mV (B)±35mV (C)±70mV (D)±140mV
24 同上題，電晶體Q
3
上的V
BB
電壓值應為多少？ (A) 1.4V 3 (B) 2.5V (C) 3.6V (D) 4.3V
25 若n通道增強型（enhancement type）場效應電晶體之p型基板（substrate）與接地點之間接一負偏壓，則電晶 體之臨限電壓（threshold voltage）V
t
： (A)不受影響 (B)變小 (C)變大 (D)不一定
26 如圖所示電路，為兩級串接RC耦合放大電路， 其中R1 = 10kΩ，R2 = 2kΩ，R3 = 2kΩ，R4 = 1kΩ， R5 = 20kΩ，R6 = 4kΩ，R7 = 3kΩ，R8 = 1kΩ，電晶 體Q1與Q2之特性相同，其參數值如圖所示，則 此電路之輸入阻抗Zi及輸出阻抗Z0分別為：
(A)Z
i
= 1kΩ，Z0 = 1kΩ
(B)Z
i
= 0.625kΩ，Z
0
= 3kΩ
(C)Z
i
= 1.667kΩ，Z
0
= 1kΩ
(D)Z
i
= 1kΩ，Z
0
= 3kΩ
27 關於理想運算放大器之輸出阻抗Z
0
與輸入阻抗Z
i
之敘述，下列何者正確？ (A)Z
0
=0，Z
i
=0 (B)Z
0
=∞，Z
i
=∞ (C)Z
0
=∞，Z
i
=0 (D)Z
0
=0，Z
i
=∞
28 如圖所示，射極電阻R
e
的存在，將使得共射極特性： (A)輸入阻抗減少(B)電壓增益增加 (C)偏壓狀態穩定 (D)輸出阻抗減少
29 如圖所示電路，當輸出電壓波形為三角波時，則其輸入電壓波形為
(A)弦波 (B)方波 (C)三角波 (D)鋸齒波
30 下列有關如圖所示理想運算放大器電路之輸出輸入 電壓關係，何者為是？ (A)V
o
=V
i
(B)V
o
=2V
i
(C)V
o
=-V
i
(D)V
o
=-2V
i
31 下列有關如圖所示理想運算放大器電路之敘述，何者正確？
(A)V
i
< 0，則二極體導通
(B)V
i
> 0，則V
o
= V
i
(C)V
i
= -1V，則運算放大器操作於線性區
(D)V
i
> 0，則V
o
= 0V
32 下列有關蕭基二極體（Schottky Diode）與 pn 接面二極體的比較，何者正確？ (A)蕭基二極體可用於較高速的電路中 (B)蕭基二極體有較大的切入電壓（Cut-in Voltage） (C)蕭基二極體有較低的順向電流 (D)蕭基二極體是用兩種不同能隙（Energy Gap）的半導體材料結合而成的
33 矽晶二極體空乏區中的 n 型區域帶何種電性？ (A)負電性 (B)電中性 (C)正電性 (D)正、負電荷共存
34 將一峰值V
m
= 10 伏特之正弦波輸入圖示之半波整流電路， 若不計二極體之導通電壓，則輸出之直流電壓為：
(A) 3.18 伏特 (B) R vo 5 伏特 Vm (C) 6 伏特 (D) 6.36 伏特
35 金氧半場效應電晶體（MOSFET）具有高輸入阻抗，主要原因為： (A)施加於閘極的逆向偏壓 (B)閘極的氧化層為絕緣體 (C)通道中的空乏區（depletion）缺少可以移動的載子（carrier） (D)通道中無可自由移動的電荷
36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者？ (A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體 (C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化
37 一般的橋式整流器（bridge rectifier）中，共需要使用到幾個二極體？ (A) 1 (B) 2 (C) 4 (D) 8
38 如圖所示為由 n 通道增強型（enhancement type）MOSFET 組成的邏輯電路。若在一正邏輯系統下，則其數位邏輯閘 功能為何？
(A)及閘（AND） (B)或閘（OR） (C)反及閘（NAND） (D)反或閘（NOR）
39 當MOSFET工作於飽和區（saturation region）時，其I
D
與V
GS
的關係為何？（下式中Vt為MOSFET之臨限電壓 （threshold voltage））
(A)I
D
與V
GS
幾乎無關
(B)I
D
正比於V
GS
(C)I
D
正比於（V
GS
-V
t
）
(D)I
D
正比於（V
GS
-V
t
）
2
40 有一CMOS電路如圖一所示，假設兩 電晶體的臨限電壓（threshold voltage） 等值，即|V
tn
|=|V
tp
| = V
t
，今獲得其輸出-輸入 關係的轉移特性（transfer characteristic） 如圖二所示。
依上述，最有可能使 PMOSFET 操作在三極區（triode region）或是線性區（linear region）的工作範圍為： (A) A (B) B (C) C (D) D
申論題 (0)
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(A)低通（low pass）濾波器 (B)高通（high pass）濾波器 (C)帶通（band pass）濾波器 (D)帶拒（band reject）濾波器 
，其中 A(s)為開迴路時順向增益，β(s) 為回授電路的增益。則此閉迴路電路振盪的條件是 A(s)β(s)約為： (A) 0 (B)-0.5 (C)-1 (D) 100 
(A) AND (B) NAND (C) OR (D) NOR 
（n-1）分別為 Q 端及
端先前
輸出狀況）
(A) 1 (B) 0
(C) Q（n-1） (D)
（n-1）
(A)防止離子佈植中的離子穿入矽基板 (B)加強所有閘極的強度 (C)儲存資料 (D)使閘極浮動 
： (A)-3V (B)-7V (C) 3V (D)-1V 
(A) 0 (B)rπ (C)re (D)rπ(1+gmRE) 
(A)弦波 (B)方波 (C)三角波 (D)鋸齒波 
(A) 3.18 伏特 (B) R vo 5 伏特 Vm (C) 6 伏特 (D) 6.36 伏特
(A)及閘（AND） (B)或閘（OR） (C)反及閘（NAND） (D)反或閘（NOR）
依上述，最有可能使 PMOSFET 操作在三極區（triode region）或是線性區（linear region）的工作範圍為： (A) A (B) B (C) C (D) D