35 金氧半場效應電晶體（MOSFET）具有高輸入阻抗，主要原因為：
(A)施加於閘極的逆向偏壓
(B)閘極的氧化層為絕緣體
(C)通道中的空乏區（depletion）缺少可以移動的載子（carrier）
(D)通道中無可自由移動的電荷

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統計： A(4), B(89), C(13), D(2), E(0) #1109020