39 矽二極體逆向偏壓時，在電路上會有一個等效並聯寄生電容 Cj ，這個電容的主要電荷來自下列何者？
(A)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的載子
(B)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的摻雜雜質
(C)P 型 N 型半導體接合面中性區內部的載子
(D)P 型 N 型半導體接合面中性區內部的摻雜雜質

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統計： A(56), B(66), C(10), D(6), E(0) #1719248

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#3136697


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#2841193
寄生電容 a.k.a 雜散電容
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#5914647
當矽二極體逆向偏壓時，空乏區會擴大。此空乏區裡的主要電荷是由摻雜的雜質所產生的固定電荷。因此，等效並聯寄生電容 中的電荷主要來自於空乏區中的摻雜雜質。
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7589087
未解鎖
✅ 答案：(B) P 型 N 型半導體...
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