5 某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 i_D- V_GS關係如下圖所示，則此 FET 為：
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS

答案：登入後查看
統計： A(15), B(7), C(107), D(5), E(0) #979558

詳解 (共 1 筆)

pole~zero

B1 · 2015/11/19

#1195098

(共 1 字，隱藏中）

前往觀看

5

0

私人筆記 (共 1 筆)

Alice

2025/12/27

私人筆記#7679356

未解鎖

題目解析：FET 飽和區 iD–VGS...

(共 341 字，隱藏中）

前往觀看

1

0