5. 電鍍銅在室溫下會自發再結晶(recrystallization)而大幅改變其微結構/晶體特
徵,此現象被稱為「自退火」(self-annealing)現象。隨著自退火行為的發生,
電鍍銅的擇優取向(preferred crystallographic orientation)將有大幅改變。下列
何者為自退火完成後,電鍍銅常見的生長擇優取向(觀測方向為電鍍銅沉積方
向)?
(A) (321)及(556)
(B) (441)及(556)
(C) (111)及(101)
(D) (441)及(321)