6 若 BJT 之 I<sub>C</sub> &lt; βI<sub>B</sub>，則該 BJT 操作在： (A)主動模式(B) 截止模式 (C)飽和模式(D) 崩潰模式

6 若 BJT 之 I_C < βI_B，則該 BJT 操作在：
(A)主動模式
(B) 截止模式
(C)飽和模式
(D) 崩潰模式

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統計： A(14), B(9), C(154), D(1), E(0) #979439

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Rascal

B1 · 2017/05/02

#2166865

主動模式 βIB = IC飽和模式 β...

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25 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A)若電晶體操作於主動區，其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大 (B)若電晶體操作於飽和區，其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於主動區時為大 (C)若電晶體操作於主動區時，其電流增益 ic /ib較操作於飽和區時為大 (D)爾利電壓 VA（Early voltage）與電晶體操作於主動區時之輸出阻抗成反比

6 若 BJT 之 I_C < βI_B，則該 BJT 操作在：
(A)主動模式
(B) 截止模式
(C)飽和模式
(D) 崩潰模式

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(A)主動模式
(B) 截止模式
(C)飽和模式
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