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試題詳解

試卷:115年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_冷凍空調、電機工程、電子工程、 電訊工程、資訊工程:電子學#137370 | 科目:專科學力鑑定◆專(一、二):電子學

試卷資訊

試卷名稱:115年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_冷凍空調、電機工程、電子工程、 電訊工程、資訊工程:電子學#137370

年份:115年

科目:專科學力鑑定◆專(一、二):電子學

8. 金氧半場效電晶體(MOSFET)可操作於飽和區與三極管區,下列敘述何者正確?
(A) 飽和區可當電流源使用;三極管區可當電阻使用
(B) 飽和區可當電阻使用;三極管區可當電阻使用
(C) 飽和區可當電阻使用;三極管區可當電流源使用
(D) 飽和區可當電流源使用;三極管區可當電流源使用

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