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上一題
32 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,β = 10, MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試求整體轉導增益 Io/Vi

(A) 100/11 mA/V
(B) 1000/11 mA/V
(C) 11 mA/V
(D) 100 mA/V .


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難度: 適中
7F
【站僕】摩檸Morning 國三下 (2020/03/11)

原本題目:

32 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,β = 10, MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試求整體轉導增益 Io/Vi? (A) 100/11 mA/V (B) 1000/11 mA/V (C) 11 mA/V (D) 100 mA/V .

修改成為

32 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,β = 10, MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試求整體轉導增益 Io/Vi

5e6858f503890.jpg#s-278,330(A) 100/11 mA/V (B) 1000/11 mA/V (C) 11 mA/V (D) 100 mA/V ...
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8F
Andy Shih (2022/04/20)

這題的Vo必須設在BJT的射極答案才會成立,題目沒有標示容易造成疑惑。

9F
我只是略懂 大一下 (2022/06/16)

不可以自己去設vo 因為他這題就是轉導放大 你就是求他要求的比值就對了 然後你Vo設在射極 訊號不就永遠接地零…

32 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active..-阿摩線上測驗