33 如圖所示之電路,假設電晶體操作在飽和區,忽略電晶體輸出電阻,ID = 1 mA,CGS = 50 fF, CGD = 10 fF,CDB = 15 fF,且 VGS-VTH = 200 mV,採用米勒(Miller)趨近法,求位於 VO 端之極點頻率為何?(f = 10-15)

(A) 2.12 GHz
(B) 4.12 GHz
(C) 6.12 GHz
(D) 8.12 GHz
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統計: A(13), B(15), C(43), D(13), E(0) #979251
統計: A(13), B(15), C(43), D(13), E(0) #979251
詳解 (共 5 筆)
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#5326398
MOSFET的寄生電容應是Cds而非Cdb,然後正確的算法要考慮米勒效應,可以直接帶入Cgd是因為輸出電容相近,一些細節可以注意一下。
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