100年 - 100 初等考試_電子工程：電子學大意（重複）#47545

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：100年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 如圖之電路，電晶體Qn之臨限電壓Vtn＝0.5V，電晶體Qp之臨限電壓為 Vtp＝-0.5V，當輸入電壓Vi＝0V時，輸出電壓Vo為：  (A) 0V (B) 0.5V (C)2.5V (D) 3V
2 圖中虛線範圍內為NPN電晶體主動 區（Active region）的安全工作區域， 除了代表ICmax及VCEmax的虛線外，另 外兩條虛線代表的限制值為：（註： Sat-飽和，Cut-off截止） (A)PEmax，VBC(sat) (B)PEmax，VBC(cut-off) (C)PCmax，VCE(sat) (D)PCmax，VCE(cut-off)
3 如圖振盪器電路，下列何者為非？  (A)此電路為積分相位落後型 RC 相移振盪器 (B)輸出訊號欲達成振盪，R2及R3設計值必需 符合R2 ≥29R3之條件  (C)振盪頻率為 (D)三組 RC 串聯電路中，每一組的 RC 電路負 責移相 120º

4 圖為射極隨耦器（Emitter Follower）等效電路， 的零點為：  
5 分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之 VDD 轉導值gm皆為 1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗 （ro＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？ (A)其電壓增益之絕對值約為 10 (B)輸出信號 Vo 與輸入信號 Vi 同相 (C)輸出阻抗約為 1kΩ  (D)本電路具有高輸入阻抗
6 圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V、 R1＝10kΩ、R2＝40kΩ，當vI為 -1V時，此輸出電壓vO  為若干V？  (A)-4  (B)-5  (C)4 (D) 12 或-12 皆有可能
7 X及Y為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A1及A2，輸入阻抗分別為Ri1及Ri2，輸出阻抗分別 為Ro1及Ro2，將X的輸出端接至Y的輸入端，則連接後整體的電壓增益為：
8 若量一電晶體電路的數據為gm＝80mA/V。當IB＝110μA時IC＝9mA，當IB＝130μA時IC＝11mA。則其 電晶體基 - 射極間之小訊號電阻值rπ 約為： (A) 1.25kΩ (B) 2.5kΩ (C) 3.75kΩ (D) 6kΩ
9 某運算放大器其開迴路增益（Open Loop Gain）的單增益頻率 （Unity Gain Frequency）ft＝1MHz，若以此運算放大器接成 R2 如圖之反相放大器，其中頻增益為-1，則此反相放大器的  3dB頻率為：  (A) 1MHz (B) 750kHz (C) 707kHz (D) 500kHz
10 圖中齊納二極體（Zener Diode）的rZ＝20Ω，IZK＝0.2mA， VZK＝6.7V，若齊納二極體（Zener Diode）仍在累崩區工作， 則最小負載電阻RL約為：  (A) 0.5kΩ (B) 1.0kΩ (C) 1.6kΩ (D) 2.5kΩ
11 在 A 類（Class A）、B 類（Class B）、AB 類（Class AB）、C 類（Class C）放大器中，以那一類 放大器之功率轉換效率最低： (A)A (B)B (C) AB (D)C
12 圖中電路用來當作數位反相器（ Inverter ），其中 VCC＝5V，  RC＝1kΩ， RB＝5kΩ，電晶體之 VCE(sat)＝0.2V，VBE(on)＝0.7V，  β＝100。此電路之低位雜訊邊界（Noise Margin For Low Input, NML） 約為：  (A) 3.3V  (B) 2.5V (C) 1.5V  (D) 0.5V 
13 何者是累崩光二極體（Avalanche photo diode）正確的檢光工作區域？ (A)鄰近順向累崩區 (B)反向飽和區 (C)鄰近反向累崩區 (D)順向線性區
14 如圖所示之數位電路由D正反器（D Flip-Flop）及 χ3 χ2 χ1 χ0 多工器（Multiplexer）所組成，其中χ3、χ2、χ1、χo 為輸入訊號，z3、z2、z1、z0為輸出訊號，LD為載  入控制訊號，CLR為清除控制訊號，CLK為時脈MUX （Clock）訊號。試問此為何種數位電路？  (A)暫存器（Register）(B)計數器（Counter） (C)移位器（Shifter） (D)解碼器（Decoder） 
15 一個 256 百萬位元（32 百萬位元組×8 位元輸出）之記憶體，其記憶體位址共需要若干位元？ (A) 15 (B) 18 (C) 25 (D) 28 
複選題
16 圖所示為一具有理想放大器之濾波器，以下何者為錯誤？phpxUKUjH.png
 (A)全通（All Pass）濾波器 
 (B)當頻率趨近於零，VOUT /VIN相位趨近於 -180 度 
 (C)|VOUT /VIN|不受頻率變化影響 
 (D)當頻率等於php8zea03.png ，VOUT /VIN相位為：90 度 
17 下列圖示電路，何者非為高通濾波器（High Pass Filter）？
18 圖中電路，其Vout /Vin的零點（Zero）為：
 (A)(RLC)-1 (B)(RC)-1 (C)gm /C (D)[(R+RL)C]-1 .
19 圖中電路，R1＝10kΩ，R2＝1MΩ，若運算放大器的輸入偏移 R2 電壓（Offset Voltage，VOS）為 1mV，輸入偏壓電流（Bias Current，IB）為 0.2μA，則輸出的可能最大偏移電壓約為：  (A) 0.5V (B) 0.3V  (C) 0.1V (D)-0.1V 
20 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為 V1＝2V、V2＝1V，試求其輸出電壓Vo範圍應為多少？ (A)-6V～-3V  (B)+3V～+6V  (C)-4V～-2V  (D)+2V～+4V
21 關於圖中電路之轉移函數，下列敘述何者錯誤？ (A)此為低通濾波器 (B)其低頻增益為 1 (C)其頻寬約為 106 rad/sec  (D) R 越大則其頻寬越窄 
22 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。 若電晶體都有相同的爾利電壓（Early Voltage，VA）100V；且都設計 在相同的驅使電壓（Overdrive Voltage，VGS-Vt）0.2V，Vt為臨限電壓。 Vo 則此電路的共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain，Acm）約為： (A)-2×10-3 (B)-10-3 (C)-5×10-4  (D)-2.5×10-4
23 雙極性接面電晶體（BJT）中，下列何種電路組態其電壓增益（Av）及電流增益（Ai）均遠大於 1？ (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態
24 圖示理想運算放大器電路，若R1＝2kΩ、R2＝6kΩ、 R3＝10kΩ、R4＝10kΩ，今輸入訊號v1＝v2＝1V，則 輸出電壓vO為若干V？ (A)-6 (B)-4  (C)-1  (D)1 
25 以下各種場效電晶體，何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值？ (A) VMOSFET (B) JFET (C)空乏型 MOSFET (D)增強型 MOSFET
26 圖中N通道增強型MOSFET的Vt＝1V，則其工作於：  (A)三極管區（Triode Region） (B)飽和區（Saturation Region）  (C)截止區（Cut-off Region） (D)主動區（Active Region） 
27 求圖中基－射極接面迴路中的電流IB為：
28 如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點閘源極電壓VGS為-2.6V，汲極電流ID為 2.6mA，IDSS為 8mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）Vp為-6V，不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響，則此放大器的輸出阻抗Zo約為多少？
  (A) 1kΩ (B) 4.7kΩ (C) 47kΩ  (D) 680kΩ.
29 若電晶體工作在基－射極接面為順偏，基－集極接面為逆偏下，已知IC＝1.99mA及IE＝2mA，則IB及  β值分別為： (A) 0.01mA、199 (B) 0.01mA、0.995 (C) 3.99mA、199 (D) 3.99mA、0.995
30 EPROM 將記憶體單元中的資料清除，是採用： (A)通道抹除法清除 (B)源極抹除法清除 (C)汲極抹除法清除 (D)紫外線清除
31 PN 接面二極體，若以接面處為界，在 P 型側空乏區內的電荷為： (A)正電荷 (B)負電荷 (C)電中性 (D)視雜質濃度而定
32 圖所示為一動態邏輯（Dynamic Logic）電路。以下何者為錯誤？ 
(A)時脈（Clock）等於 0 V 時，Y 等於“1＂ 
 (B)時脈（Clock）等於VDD時，Y等於 
 (C)低位雜訊邊界（Noise Margin For Low Input, NML）＝VtN， 其中VtN是N型金氧半電晶體（NMOSFET）的臨限電壓 Y （Threshold Voltage）
 (D)高位雜訊邊界（ Noise Margin For High Input, NMH） ＝ VDD-VtP，其中 VtP是 P型金氧半電晶體 （PMOSFET）的臨限電壓
33 一電路的轉移函數（Transfer Function）含兩個極點（Pole）： fP1、fP2，和一個零點（Zero） ： fZ。若fP2  ＝√ 2 fP1、fZ＝2 fP1，則此電路的頻寬約為： (A) 2 fP1 (B)√ 2 fP1 (C)fP1 (D) 0.5 fP1
34 圖(a)為一個半波整形電路，圖(b)為其輸出 Vo對輸入Vi曲線。若運算放大器為理想， 二極體D之導通電壓為 0.7V，則圖(b)的臨 限電壓Vt值約為何？  (A) 0V  (B) 0.7V (C) 1V (D) 1.7V 
35 右圖二極體整流電路中，二極體為理想二極體其逆向 電壓峯值為PIV。電路之直流輸出電壓為Vdc，輸入 交流電壓之峯至峯（Peak-to-peak）值為 20 伏特， 下列何者為正確結果？ (A)Vdc＝3.18V、PIV＝10V 
(B)Vdc＝6.36V、PIV＝10V
 (C)Vdc＝6.36V、PIV＝20V
 (D)Vdc＝3.18V、PIV＝20V
36 如圖所示理想運算放大器電路，當輸入電壓Vi為一個正弦波時，其輸出電壓Vo應為：  (A)三角波 (B)鋸齒波 (C)正弦波 (D)方波
37 如圖所示屬何種電路？  
 (A)兩級間串接 RC 耦合放大器 
 (B)兩級間串接直接耦合放大器  
 (C)達靈頓（Darlington）電路 
 (D)兩級間串接變壓器耦合放大器 
38 下列何者與光電效應有關？ (A)光電晶體 (B)熱敏電阻 (C)霍爾元件 (D)磁簧開關
39 下列何種元件的輸入阻抗值最大？ (A)雙極性接面電晶體（BJT） (B)接面場效電晶體（JFET） (C)金氧半場效電晶體（MOSFET） (D)雙極性接面電晶體（BJT）和接面場效電晶體（JFET）皆一樣大
40 矽二極體的逆向電阻會隨溫度增高而： (A)增加 (B)不變 (C)減小 (D)先減小後增大

申論題 (0)