26 圖中N通道增強型MOSFET的Vt＝1V，則其工作於： (A)三極管區（Triode Region） (B)飽和區（Saturation Region） (C)截止區（Cut-off Region） (D)主動區（Active Region）

26 圖中N通道增強型MOSFET的V_t＝1V，則其工作於：

(A)三極管區（Triode Region）
(B)飽和區（Saturation Region）
(C)截止區（Cut-off Region）
(D)主動區（Active Region）

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統計： A(40), B(17), C(5), D(0), E(0) #1227968

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ccgc

B1 · 2019/05/01

#3319922

增強NMOS:Vgs=5V(0.1V)V...

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32 圖所示為一動態邏輯（Dynamic Logic）電路。以下何者為錯誤？ (A)時脈（Clock）等於 0 V 時，Y 等於“1＂ (B)時脈（Clock）等於VDD時，Y等於 (C)低位雜訊邊界（Noise Margin For Low Input, NML）＝VtN，其中VtN是N型金氧半電晶體（NMOSFET）的臨限電壓 Y （Threshold Voltage） (D)高位雜訊邊界（ Noise Margin For High Input, NMH）＝ VDD-VtP，其中 VtP是 P型金氧半電晶體（PMOSFET）的臨限電壓

26 圖中N通道增強型MOSFET的V_t＝1V，則其工作於：
(A)三極管區（Triode Region）
(B)飽和區（Saturation Region）
(C)截止區（Cut-off Region）
(D)主動區（Active Region）

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