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國考生>試卷(2019/01/08)

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108 年 - 108 初等考試_電子工程:電子學大意#73988 

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1.1 一幾何比 W/L 固定的場效電晶體(FET)工作於飽和區,當過驅電壓 VOV(Overdrive Voltage)變為原來的 2 倍,則轉導 gm(Transconductance)將變為原來的:
(A) 1 倍
(B) 2 倍
(C) 4 倍
(D) 8 倍


2. 2 對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應(body effect),下列敘述何者正確?
(A)源極電壓提高時,源極與本體之間的空乏區會縮小
(B)源極電壓提高時,電晶體的臨界電壓下降
(C)變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流
(D)本體應接到電路的最高電壓


3.3 將一個 n-通道增強型 MOSFET 的汲極與閘極短路。此電晶體 μnCox = 20 μA/V2 ,W/L =10, Vt =0.5 V。 若使汲極電流為 100 μA,問電晶體的過驅電壓(overdrive voltage)為多少?
(A) 0.5 V
(B) 0.707 V
(C) 1 V
(D) 1.414 V


4.4 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時,飽和電流(saturation current)為 Io, 已知溫度每變化 1°C,飽 和電流變化約 7%,試問溫度增加 10°C,飽和電流如何變化?
(A)飽和電流約為 10Io
(B)飽和電流約為 2Io
(C)飽和電流約為 0.5Io
(D)飽和電流約為 0.1Io


5.5 某一增強型 MOSFET 其臨界電壓 Vt = 2 V,若源極接地而直流電源 3 V 接到閘極,當 VDS = 0.5 V 時, 試問該 MOSFET 操作在什麼區域?
(A)崩潰區(breakdown region)
(B)飽和區(saturation region)
(C)三極管區(triode region)
(D)主動區(active region)


6.

6 下圖電路中,設運算放大器(OPA)為理想,則從 A 點看入的輸入阻抗為何? 5c33efd0e0795.jpg
(A) R1R2/( R1 + R2)
(B) R1
(C) R1 + R2
(D) 0



7.7 有一放大器可將 1 mV 的信號放大至 1 V,則其分貝增益為:
(A)80 dB
(B) 60 dB
(C) 30 dB
(D) 20 dB


8.

8 下列那一個電路是精確半波整流器(precision half-wave rectifier)電路?
(A)
5c33f3cd2598b.jpg
(B)
5c33f3ddb8dcb.jpg
(C)
5c33f3ed96293.jpg
(D)
5c33f401ce9eb.jpg



9. 9 分析運算放大器電路時,兩輸入端常視為虛擬短路,其意為何?
(A)需將兩輸入端連在一起
(B)兩輸入端需各自接地
(C)兩輸入端的電壓相等
(D)兩輸入端的輸入阻抗為零


10.10 若某空乏型 NMOS 場效電晶體之臨界電壓為 Vt,其參數電流 IDSS 是電晶體:
(A)工作在三極管區(Triode)且電壓 VGS=0V 之電流
(B)工作在三極管區(Triode)且電壓 VGS=Vt 之電流
(C)工作在飽和區(Saturation)且電壓 VGS=0V 之電流
(D)工作在飽和區(Saturation)且電壓 VGS=Vt 之電流


11.

11 如圖所示之運算放大器電路,其中 Ao=∞,求此電路之電壓增益為何?
(A)-1
(B)-2
(C)-4
(D)-6 5c33f4241d66d.jpg



12.

12 有一放大器電路如圖所示,放大器 U1 為理想的運算放大器,二極體 D1 順向壓降 VD0=0.7 V。若 R1 =1kΩ,輸入電壓 VI=5V,試問輸出電壓 Vo 應落在下列何範圍內? 5c33f46f7db7d.jpg
(A) 5.0 V ≦Vo
(B) 4.5 V ≦Vo< 5.0 V
(C) 4.0 V ≦Vo< 4.5 V
(D) Vo< 4.0 V



13.

13 圖示的理想箝位電路中,已知輸入信號 vi(t)及輸出信號 vo(t)的最大值分別為 10 及 6 伏特,則 偏壓電源 VR 為多少? 5c33f49d286ba.jpg
(A)-6 V
(B)-4 V
(C) 4 V
(D) 6 V



14.14 針對一個整流-電容濾波電路(二極體視為理想)而言,下列那一種設計方式無法有效減小漣波因素?
(A)增大負載電阻值
(B)增大濾波電容值
(C)增大輸入信號頻率
(D)增大輸入信號振幅


15.

15 下圖所示之電路中,若變壓器二次側 vS = Vm sinωt,則輸出電阻 R 之 vR波形為何? 5c33f4d654d6b.jpg
(A) 5c33f4eb65737.jpg
(B) 5c33f4fc3f722.jpg
(C) 5c33f513de531.jpg
(D)  5c33f5239aaf6.jpg



16.

16 若輸入信號 vi 如圖所示,二極體之導通電壓為0 V,導通電阻為0 Ω,電容C1兩端之初始電壓差為 0 V,關 於輸出信號 vo的敘述,下列何者錯誤? 5c33f54a595f2.jpg
(A) vi 與 vo 的週期相同
(B) vo的最小值為 1 V
(C) vo的最大值為 2 V
(D) vo 的平均值> 0 V



17.

17 如圖所示之電路,其輸入電源為正弦波,假設二極體之壓降皆為 0.7 V,而此電路之輸出電壓 vout之 峰值為 12 V,則此輸入電源之電壓均方根值(rms)約為多少? 5c33f55dc02e6.jpg
(A) 8.5 V
(B) 9.5 V
(C) 11.6 V
(D) 13.4 V



18.

18 如圖所示之電路,假設二極體 D 之壓降為 0.8 V,其 IR1與 Iin之關係亦如圖所示,圖中 I1之表示式為 何? 5c33f5a15b1fb.jpg
(A) 0.8/R1
(B) 1.2/R1
(C) 2/R1
(D) 2.8/R1



19.19 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述,何者錯誤?
(A)電路中 2 個二極體會同時導通或反偏
(B)轉換效率較半波整流電路佳
(C)同時利用輸入正弦電壓的正負週期
(D)輸出-輸入電壓特性的斜率絕對值接近 1


20.20 全波整流電路的漣波頻率是輸入頻率的幾倍?
(A) 0.5 倍
(B) 1 倍
(C) 2 倍
(D) 5 倍 


21.

21 分析如圖之電路,若稽納(Zener)二極體 ZD1、 ZD2 之崩潰電壓為 6 V,導通電壓為 0.7 V,且導 通電阻值為 0 Ω。vI=10sinωt (V),則電阻上流過之最大電流為何? 5c33f5cd9d142.jpg
(A) 0 mA
(B) 1.65 mA
(C) 3.35 mA
(D) 4.3 mA



22.

22 如圖振幅限制器(Limiter)電路,U1 為理想運算放大器,假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知 V=15 V、 R1=40 kΩ、Rf=60 kΩ、R2=9 kΩ、R3=3 kΩ、R4=3 kΩ、R5=9 kΩ。若 vI=2 V,試求輸出電壓 vO 約為 多少? 5c33f5ec0d5e1.jpg
(A) 5 V
(B) 3 V
(C)-3 V
(D)-5 V



23.

23 如圖所示之電路,已知 VT = 26 mV,其中電晶體之參數為:β=150,VBE(on) = 0.7V ,且爾利(Early) 電壓 VA 為∞ ,求此電路之小信號電壓增益值約為何? 5c33f6228f317.jpg
(A) 0.63
(B) 0.73
(C) 0.83
(D) 0.93 



24.24 下列何種電路適合應用於輸出緩衝級?
(A)共源極放大器
(B)共汲極放大器
(C)共閘極放大器
(D)共基極放大器


25.25 下列有關操作於主動區的 BJT 小訊號等效模型敘述,何者錯誤?
(A)基極-射極接面電容 Cπ小於基極-集極接面電容 Cμ
(B)轉導(gm)正比於集極電流
(C)輸出電阻正比於爾利電壓(VA
(D)輸入電阻正比於電流增益(β)


26.

26 圖中電晶體 M1 之臨界電壓 VT = 1V,若 M1 操作在飽和區,電流源為理想,則電阻 R 的最大值為 何? 5c33f6e2d630e.jpg
(A) 4kΩ
(B) 8 kΩ
(C) 12 kΩ
(D) 16 kΩ



27.27 夾止電壓 VGS(P)為 4 V 之 p 通道 MOSFET 工作在夾止飽和區且在 VGS1 = 1 V 及 VGS2 = 3 V 時,測得汲 極電流分別為 ID1及 ID2。若 ID1+ID2 = 10 mA,當 VGS= 0 V 時,則該 MOSFET 的汲極電流約為多少?
(A) 10 mA
(B) 16 mA
(C) 20 mA
(D) 24 mA


28.

28 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中,電晶體的輸出直流電壓工作點為 4 V ,電晶體 β 值變為 原來的2倍而其他特性參數不變,則RB 必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6 V? 5c33f73473547.jpg
(A) 0.75 倍
(B) 1.5 倍
(C) 2 倍
(D) 3 倍



29.

29 如圖為共源極放大電路及其 MOS 電晶體的轉換特性與輸出負載線關係,假設 RG>>2 kΩ,該放大電 路的小信號電壓增益絕對值為何? 5c33f7691725d.jpg
(A)30
(B) 18
(C) 12
(D) 6



30.

 30 圖示 MOS 場效電晶體電路,電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 1 mA/V2 ,若要使電晶體在飽和區工作, 電壓 VD 最小值應為多少? 5c33f79e7701b.jpg
(A) 4 V
(B) 3 V
(C) 2 V
(D) 1 V



31.

31 如圖為一共閘(CG)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro→∞, 則此放大器的電壓增益為何? 5c33f7f54423c.jpg
(A) gmRD
(B) gm(RD+RS)
(C) gmRD/(1+ gmRS)
(D) RD/RS



32.

32 如圖電路為一共源放大器的簡圖,若電晶體之 gm=0.5 mA/V,VA=∞,RD=5kΩ,則此放大器的輸入電 阻 Ri為: 5c33f862bdca5.jpg
(A) 0
(B) 2 kΩ
(C) 5 kΩ
(D) ∞ 



33.

33 如圖所示的韋恩電橋(Wien-bridge)振盪電路,R1=R=5kΩ、R2= 2R、C1=2C2,當該電路處於等幅振 盪時,Rf 的電阻值應約為多少? 5c33f8a673b39.jpg
(A) 5 kΩ
(B) 10 kΩ
(C) 12.5 kΩ
(D) 20 kΩ



34.

34 兩電晶體 Q1(β1=49)與 Q2(β2=79)直接耦合的串級放大電路如圖所示,其中 Q1的基極偏壓電流為 IB1=1.25μA,求該放大電路之輸出電阻 Ro 約為多少 Ω?熱電壓 VT =25 毫伏特。
(A) 10Ω
(B) 125 Ω
(C) 1250 Ω
(D) 2000 Ω 5c33f8e87ed64.jpg



35.

35 圖示為理想運算放大器組成的電路,運算放大器的輸出飽和電壓為±10 V,R1 =10 kΩ、R2 = 30 kΩ, 輸出電壓 vO原為+10 V,輸入電壓 vI為下列何電位時,輸出 vO將為-10 V?
(A)-4 V
(B)-3 V
(C) 3 V
(D) 4 V 5c33f9187257f.jpg



36.

36 如圖放大器電路,試問 C1和 C2耦合(coupling)電容會衰減放大器頻率響應的那一頻段? 5c33f93bc80cb.jpg
(A)中頻段
(B)低頻段
(C)高頻段
(D)沒有影響



37.

37 如圖非穩態電路,輸出 vo的飽和電壓在±10 V,其 R1 = 100 kΩ,R2 = R = 1 MΩ 且 C = 0.01 μF;試問 v - 在什麼電壓時,輸出電壓 vo會轉態? 5c33f9877a4e3.jpg
(A) v - 下降達+0. 91 V 或 v - 下降達-0.91 V
(B) v - 上升達+0. 91 V 或 v - 上升達-0.91 V
(C) v - 下降達+0. 91 V 或 v - 上升達-0.91 V
(D) v - 上升達+0.91 V 或 v - 下降達-0.91 V



38.

38 下列為一主動式濾波器(Active filter)。設 U1 為理想運算放大器,試問此電路轉移函數(Transfer function) T(s)≡Vo/Vi的數學形式為何?
(A) 5c33f9bcb9507.jpg
(B) 5c33f9d5daaf1.jpg
(C) 5c33f9e9c61e1.jpg
(D) 5c33fa043caa5.jpg



39.

39 某一 RC 主動式濾波器(active filter)電路如圖所示,已知放大器 U1 為理想運算放大器,且 R1=R2 =R3,試問該電路為何種濾波器? 5c33fa26d2b0a.jpg
(A)低通濾波器(low-pass filter)
(B)高通濾波器(high-pass filter)
(C)帶通濾波器(band-pass filter)
(D)全通濾波器(all-pass filter)



40.40 一個雙極性接面電晶體,其單一增益(unity-gain)頻率 fT = 20 GHz,在 Ic = 1 mA 下,電晶體增益 β = 120,則電晶體的頻寬約為多少?
(A) 107 MHz
(B) 125 MHz
(C) 146 MHz
(D) 167 MHz


懸賞詳解

國一地理下第三次

47. 近年來,學者紛紛提出對於馬祖地區漁業發展不樂觀的看法,因此建議該地應全力推展休閒釣遊業,提高魚類附加價值,才是馬祖漁業唯一的生路。...

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