2 對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？
(A)源極電壓提高時，源極與本體之間的空乏區會縮小
(B)源極電壓提高時，電晶體的臨界電壓下降
(C)變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流
(D)本體應接到電路的最高電壓

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統計： A(57), B(32), C(206), D(11), E(0) #1928697

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#3172756
(A)源極電壓提高時，故源極和體極的PN...
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#4848553
這題考很細呢! 難度竟然只有適中!bod...
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私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#5707395
未解鎖
初等/五等/佐級◆電子學大意&nb...

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私人筆記#7523367
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✅ (C) 變化源極對本體的電壓也可以...
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