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試卷名稱：114年 - 114-1 全國技術士技能檢定學科_甲級：11600 電力電子#129646

年份：114年

科目：技檢◆電力電子-甲級

複選題

72. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)，下列敘述何者正確？
(A)閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
(B)與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
(C)增強型 P 通道與空乏型 N 通道特性完全相同
(D)閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽。

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B1 · 2025/09/08

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