阿摩線上測驗
1 某增強型 PMOS 場效電晶體，Vt=-1 V，μpCox(W/L)=100 μA/V2 ，若其閘極（Gate）接地，源極（Source） 接+5 V，汲極（Drain）電壓為 3 V，則此電晶體工作在：
(A)飽和區（Saturation Region）
(B)截止區（Cutoff Region）
(C)三極管區（Triode Region）
(D)主動區（Active Region）
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統計： A(29), B(48), C(193), D(6), E(0) #1809655
統計： A(29), B(48), C(193), D(6), E(0) #1809655
詳解 (共 2 筆)
hchungw
#5875677
三極管區（Triode Region），在一些教科書中也可能被稱為線性區（Linear Region）或歐姆區（Ohmic Region），是場效應電晶體（Field Effect Transistor, FET）的工作區域之一。
在三極管區，電晶體的導通電阻隨著源極到汲極的電壓（Vds）的增加而改變。因此，在這個區域，電晶體的行為類似於一個可變電阻，這是其名稱“線性區”或“歐姆區”的由來。
進一步說，對於n型金氧半場效電晶體（n-MOSFET）而言，當閘極電壓（Vgs）大於閾值電壓（Vt），且源極到汲極的電壓（Vds）小於(Vgs - Vt)時，它將處於這個區域。對於p型金氧半場效電晶體（p-MOSFET）而言，當Vgs小於Vt，且源極到汲極的電壓（Vsd）小於(Vgs - Vt)的絕對值時，它將處於這個區域。
在三極管區工作的電晶體主要用於類比電路，例如放大器，因為在這個區域，電晶體的輸出電流與輸入電壓線性相關，這使得它們可以實現信號的放大。
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