12 如圖所示之電路，若MOSFET之轉導值（gm）= 1 mA/V，且操作於飽和區（saturation region），C2 > C1。下列敘述何者錯誤？
(A)增加C2 將提升低頻之-3 dB頻率（ωL） 1 kΩ 1 kΩ
(B)減少C1 將提升低頻之-3 dB頻率（ωL）
(C)本電路為同相放大器
(D)加大gm將提升放大器之低頻-3 dB頻率（ωL）

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統計： A(53), B(13), C(3), D(7), E(0) #1074408

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#3395257
增加C2 將降低低頻之-3 dB頻率（
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私人筆記#7678598
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題目解析：耦合電容對低頻截止的影響 ...
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