阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
102年 - 102 初等考試_電子工程:電子學大意#20816
> 試題詳解
14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成?
(A)基板(Substrate)表面的多數載體因電場作用形成
(B)基板表面的少數載體因電場作用形成
(C)以擴散技術在基板表面形成
(D)以離子植入在基板表面形成
答案:
登入後查看
統計:
A(35), B(127), C(5), D(1), E(0) #799919
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/16
#1192237
(共 1 字,隱藏中)
前往觀看
6
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/25
私人筆記#7673297
未解鎖
增強型 MOSFET 的導通通道形成原...
(共 282 字,隱藏中)
前往觀看
1
0
其他試題
10 如圖所示電路,稽納(Zener)二極體之限電壓為Vz = 5V ,當電阻值R1 = 2 kΩ,R2 = 3 kΩ,R3 = 6 kΩ, 輸出電壓Vo 為: (A) +10 V (B)-10 V (C) +12 V (D)-12 V
#799915
11 下列何者屬揮發性記憶體? (A)Flash (B)Mask ROM (C)DRAM (D)E2 PROM
#799916
12 對於理想電壓放大器(Voltage Amplifier)特性之敘述,下列何者正確? (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同
#799917
13 對一般雙極性電晶體而言,如果 β 值要大,電晶體的選擇是: (A)NPN 電晶體,基極寬度要大 (B)NPN 電晶體,基極寬度要小 (C)PNP 電晶體,基極寬度要大 (D)NPN 電晶體,基極寬度與 β 值無關
#799918
15 所謂的本質(Intrinsic)半導體是指: (A)只有受體(Acceptors)加入 (B)除晶體原子外,沒有摻雜其他雜質 (C)只有施體(Donors)加入 (D)導電率接近導體的晶體材料
#799920
16 如圖所示,不可能表達何種元件? (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池(Photovoltaic Cell)
#799921
17 如圖所示,二極體的導通電壓為 0.7 V,順向電阻為 100 Ω,則當V1 = V0 、 V2 = 5 V 時,Vo 之電壓約 為: (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V
#799922
18 下列雪崩型感光二極體(APD)的特性及應用敘述,那一個錯誤? (A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下 (B)照光很容易產生雪崩倍增,讓電流增益變大 (C)它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 (D)元件對光的調變響應可高至微波範圍
#799923
複選題19 如圖所示的電源供應器,若輸入電源為 120 VAC,60 Hz,橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF,則在 50 Ω 負載端的漣波約為: (A)0.1 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V
#799924
20 如圖電路中運算放大器為理想者,且其輸出之最大值為 5V ,最小值為 − 5 V,二極體之導通電壓為 0.7V ,若 Vi = −1V,則 Vo值為何? (A)0 V (B)0.7 V (C)5 V (D)-5 V
#799925