102年 - 102 初等考試_電子工程：電子學大意#20816

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：102年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 如圖所示之電路，v_a =100sin ωt V，v_b= 100sin(ωt − 120° )V ，v_c = 100sin( ωt − 240°)V，求其平均輸出電壓為何？

(A)82.7 V (B)92.7 V (C)102.7 V (D)112.7 V

2 以下關於 CMOS 傳輸閘的描述，何者正確？ (A)NMOS 的基體與外部電壓正值相連 (B)PMOS 的基體與外部電壓負值相連 (C)PMOS 和 NMOS 上的閘極控制電壓互補 (D)傳輸閘導通時輸入和輸出互補

3 一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容，在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失，則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？ (A)1 pA (B)2 pA (C)5 pA (D)10 pA

4 下列有兩放大器應用電路，U1 與U2 為理想運算放大器，輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間，電阻 R₁、R₂、R₃、R₄均相等，若輸入電壓Vi1 及Vi2 為 2 sin(ωt)V之正弦波，試研判Vo1 與Vo2 之輸出響應。 (A)Vo1 為-/+10 V、Vo2＝4 sin(ωt)V (B)Vo1＝4 sin(ωt)V、Vo2 為-/+10 V (C)Vo1、Vo2 均為-/+10 V (D)Vo1、Vo2 均為 4 sin(ωt)V

5 圖示理想運算放大器電路，若 R₁ = 3 kΩ、R₂ = 7 kΩ、R_a =1 kΩ、R_f =19 kΩ ，， v₁ = 1V v₂ = − 1V ，則輸出電壓 v₀為若干 V？ (A)0 (B)4 (C)8 (D)10

6 如圖所示之MOS電路，Q ₁ 、Q₂為P通道增強型MOSFET，Q₃、Q₄為N通道增強型MOSFET。此電路為何種邏輯閘？ (A)OR 閘 A (B)NOR 閘 Q1 (C)AND 閘 (D)NAND 閘

7 圖中以G₁及G₂兩個NOR閘組成RS型正反器（Flip-Flop），下列何者為其正確的反應？ (A) R = 0 , , S = 0 Q = 0 R (B) R =1, , S = 0 Q = 0 (C) R = 0 , , S =1 Q = 0 (D) R =1, , S =1 Q =1

8 圖中電路，假設

則此電路的

所需要的時間約為：

(A)1 ns (B)0.5 ns (C)0.25 ns (D)0.1 ns

9 由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。若輸入信號的頻率為1 /( 2πRC) ，則電壓增益V_O /V_IN 的相位角度（Phase Angle）為： (A)90 度 (B)45 度 (C)-45 度 (D)-90 度

10 如圖所示電路，稽納（Zener）二極體之限電壓為V_z = 5V ，當電阻值R₁ = 2 kΩ，R₂ = 3 kΩ，R₃ = 6 kΩ，輸出電壓V_o 為：

(A) +10 V (B)-10 V (C) +12 V (D)-12 V

11 下列何者屬揮發性記憶體？ (A)Flash (B)Mask ROM (C)DRAM (D)E²PROM

12 對於理想電壓放大器（Voltage Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同

13 對一般雙極性電晶體而言，如果 β 值要大，電晶體的選擇是： (A)NPN 電晶體，基極寬度要大 (B)NPN 電晶體，基極寬度要小 (C)PNP 電晶體，基極寬度要大 (D)NPN 電晶體，基極寬度與 β 值無關

14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成？ (A)基板（Substrate）表面的多數載體因電場作用形成 (B)基板表面的少數載體因電場作用形成 (C)以擴散技術在基板表面形成 (D)以離子植入在基板表面形成

15 所謂的本質（Intrinsic）半導體是指： (A)只有受體（Acceptors）加入 (B)除晶體原子外，沒有摻雜其他雜質 (C)只有施體（Donors）加入 (D)導電率接近導體的晶體材料

16 如圖所示，不可能表達何種元件？ (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池（Photovoltaic Cell）

17 如圖所示，二極體的導通電壓為 0.7 V，順向電阻為 100 Ω，則當V₁ = V0 、 V₂= 5 V 時，V_o 之電壓約為： (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V

18 下列雪崩型感光二極體（APD）的特性及應用敘述，那一個錯誤？ (A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下 (B)照光很容易產生雪崩倍增，讓電流增益變大 (C)它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 (D)元件對光的調變響應可高至微波範圍

複選題
19 如圖所示的電源供應器，若輸入電源為 120 VAC，60 Hz，橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF，則在 50 Ω 負載端的漣波約為： (A)0.1 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V

20 如圖電路中運算放大器為理想者，且其輸出之最大值為 5V ，最小值為 − 5 V，二極體之導通電壓為 0.7V ，若 V_i= −1V，則 V_o值為何？ (A)0 V (B)0.7 V (C)5 V (D)-5 V

21 雙極性接面電晶體之共基極電流增益α = 0.99 ，其共射極電流增益 β 等於： (A)99 (B)119 (C)199 (D)200

22 順向偏壓二極體的小訊號電阻r_d ，與通過二極體的I_D直流電流，兩者的關係為：

23 射極隨耦器（Emitter Follower）常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者正確？ (A)高輸入阻抗，高輸出阻抗 (B)高輸入阻抗，低輸出阻抗 (C)低輸入阻抗，高輸出阻抗 (D)低輸入阻抗，低輸出阻抗

24 在高頻的共射極電晶體電路中，C_be 及C_bc 分別為 B 與 E 及 B 與 C 間之極際電容，下列敘述何者正確？ (A)C_bc 為回饋電容，米勒效應（Miller effect）使輸入電容加大 (B)C_be 為回饋電容，米勒效應使輸入電容加大 (C)米勒電容與 C_be 及 C_bc無關 (D)米勒電容與電壓放大率 A_V無關

25 圖 a 為無負載的放大器電路，圖 b 為有負載電阻R_L的放大器電路，圖 c 為有電源電阻R_S 及負載電阻R_L 的放大器電路。圖 a、圖 b 及圖 c 的電壓增益分別為及。三個圖中的電壓增益由大到小順序為：

(A) A_va > A_vb > A_vc (B) A_vb > A_vc > A_va (C) A_vc > A_va > A_vb (D) A_va = A_vb = A_vc

26 一個 N 通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零，則其 V_GS的值為：(A)負值 (B)零 (C)正值 (D)正、負皆可

27 圖中電路 V_D =12 V 而V_GS =-2 V ，則其R_S 為： (A)1.35 kΩ (B)2.82 kΩ (C)3.36 kΩ (D)5.10 kΩ

28 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數 β =( I_c/ I_b ) 為 100，不考慮電晶體集極到射極的交流輸出阻抗ro 的影響，則此放大器的輸入阻抗 (Z_i = V_i/I_i )約為多少？ (A)2.2 kΩ (B)110 kΩ (C)220 kΩ (D)300 kΩ

29 如圖共基極偏壓電路中，求出 I_EQ 與V_CEQ值。

30 圖中振盪器之振盪頻率約為何？

31 雙極性電晶體（BJT）的爾利效應（Early effect），是指： (A) V_BE 隨溫度變化的現象 (B) I_C 隨溫度變化的現象 (C) I_C隨 V_BC 逆偏壓改變的現象 (D) I_C 隨V_BE 偏壓改變的現象

32 如圖 a 所示為具有信號源電阻R_s 和負載電阻 R_L的放大器電路，設 r_e = 5.6 Ω， β=100 ，r_o = ∞Ω。圖 b 為在 390 Ω >>10 β r_e 條件下的交流等效電路，其中 R_s = 280 Ω，R_L =4.7 kΩ，則電壓增益

(A)-257 (B)-183 (C)-2.75 (D)-1

33 參考圖中增強型 MOSFET 的偏壓電路，選擇正確的工作特性圖：

34 多級放大器的最後一級，因電路與負載之阻抗匹配，常使用何種放大器組態？ (A)共射極（Common Emitter） (B)共基極（Common Base） (C)共集極（Common Collector） (D)共閘極（Common Gate）

35 如圖所示電路，電晶體Q₁ 與 Q₂ 有相同特性，若V_CC = 20V ，V_EE = −10 V ，電阻 R₁=R₂=R₃= 5 kΩ ， V₁₌V₂= 0V ，輸出電壓 V_o約為何值？ (A)20 V (B)15 V (C)10 V (D)5 V

36 圖為疊接放大器（Cascode Amplifier），關於其中電晶體 Q₂的作用，下列敘述何者錯誤？ (A)降低米勒效應 (B)增加放大器頻寬 (C)增加輸出阻抗 (D)降低V_CC 電壓

37 有關圖中電路之敘述，下列何者正確？ (A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)其高頻增益為

(D)C 越大則低頻 − 3 dB 頻率越高

38 如圖所示電路，若

，則輸入訊號為下列何種頻率之弦波時不會被截止？ (A)200 Hz (B)2 kHz (C)20 kHz (D)200 kHz

39 如圖所示電路，為兩級串接直接耦合放大器電路，其中 R₁ = 200 kΩ， R₂= R₃= 3 kΩ， R₄=R₅ = 2 kΩ ，電晶體Q₁ 與 Q₂ 之特性相同，其參數值如圖所示，則此電路之小訊號輸入阻抗及小訊號輸出阻抗約為： (A) Z_i =1 kΩ ， Z_o =1 kΩ (B) Z_i =1 kΩ ， Z_o = 2 kΩ (C) Z_i = 200 kΩ ， Z_o =1 kΩ (D)Z_i = 200 kΩ ， Z_o = 2 kΩ

40 圖中電路之振盪器由三級反相器所組成，若單一級反相器之傳遞延遲為 1ns，則振盪器之振盪頻率約為何？

申論題 (0)