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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 初等考試_電子工程:電子學大意#20816
> 試題詳解
11 下列何者屬揮發性記憶體?
(A)Flash
(B)Mask ROM
(C)DRAM
(D)E
2
PROM
答案:
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統計:
A(17), B(5), C(136), D(12), E(0) #799916
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/16
#1192203
(共 1 字,隱藏中)
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2
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/25
私人筆記#7673280
未解鎖
揮發性記憶體判斷 揮發性記憶體(V...
(共 269 字,隱藏中)
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1
0
其他試題
7 圖中以G1及G2兩個NOR閘組成RS型正反器(Flip-Flop),下列何者為其正確的反應? (A) R = 0 , , S = 0 Q = 0 R (B) R =1, , S = 0 Q = 0 (C) R = 0 , , S =1 Q = 0 (D) R =1, , S =1 Q =1
#799912
8 圖中電路,假設當當則此電路的所需要的時間約為: (A)1 ns (B)0.5 ns (C)0.25 ns (D)0.1 ns
#799913
9 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。若輸入信號的頻率為1 /( 2πRC) ,則電壓增益VO /VIN 的相 位角度(Phase Angle)為: (A)90 度 (B)45 度 (C)-45 度 (D)-90 度
#799914
10 如圖所示電路,稽納(Zener)二極體之限電壓為Vz = 5V ,當電阻值R1 = 2 kΩ,R2 = 3 kΩ,R3 = 6 kΩ, 輸出電壓Vo 為: (A) +10 V (B)-10 V (C) +12 V (D)-12 V
#799915
12 對於理想電壓放大器(Voltage Amplifier)特性之敘述,下列何者正確? (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同
#799917
13 對一般雙極性電晶體而言,如果 β 值要大,電晶體的選擇是: (A)NPN 電晶體,基極寬度要大 (B)NPN 電晶體,基極寬度要小 (C)PNP 電晶體,基極寬度要大 (D)NPN 電晶體,基極寬度與 β 值無關
#799918
14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成? (A)基板(Substrate)表面的多數載體因電場作用形成 (B)基板表面的少數載體因電場作用形成 (C)以擴散技術在基板表面形成 (D)以離子植入在基板表面形成
#799919
15 所謂的本質(Intrinsic)半導體是指: (A)只有受體(Acceptors)加入 (B)除晶體原子外,沒有摻雜其他雜質 (C)只有施體(Donors)加入 (D)導電率接近導體的晶體材料
#799920
16 如圖所示,不可能表達何種元件? (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池(Photovoltaic Cell)
#799921
17 如圖所示,二極體的導通電壓為 0.7 V,順向電阻為 100 Ω,則當V1 = V0 、 V2 = 5 V 時,Vo 之電壓約 為: (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V
#799922