14 下列有關場效應電晶體臨限電壓(threshold voltage)Vt的敘述,何者正確?
 
(A)n通道空乏型(depletion type)及n通道增強型(enhancement type)的Vt都為正值
 
(B)n通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值
 
(C)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值
 
(D)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為正值

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統計: A(9), B(2), C(5), D(72), E(0) #1214055

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#3795878
P通道空乏型的Vgs設計為正,相對應需大...
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