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試題詳解

試卷:99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090

年份:99年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

19 今比較兩個利用電流源產生偏壓之MOSFET放大器電路如圖 1 與圖 2 所示。其中,輸入信號由電晶體Q1的 閘極端饋入,偏壓VBIAS1、VBIAS2使電晶體Q1、Q2均保持在飽和區內工作。則圖 1 中電晶體Q2所提供的額外 作用不可能是下列何者? 
(A)提高電壓增益  
(B)提高輸入阻抗  
(C)提高高頻響應的頻寬  
(D)提高電壓增益與響應頻寬的乘積(gain-bandwidth product)
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