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98年 - 98 初等考試_電子工程:電子學大意#19362
> 試題詳解
16 如圖所示電路,其輸出端電壓V
o
應為多少伏特?
(A)-2 -15 V +15 V + - 1 kΩ Vi = 2 V
(B)-15
(C) 15 Vo
(D) 2
答案:
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統計:
A(7), B(45), C(2), D(3), E(0) #732078
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/07
#2177141
此電路為比較器V- > V+,故輸...
(共 35 字,隱藏中)
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17 若下圖理想運算放大器電路之輸入電壓:Vi1= 1V, Vi2 = 2V,則輸出電壓為: (A) 1 V 2R R 2R R + - (B) 2 V (C)-2 V (D)-4 V
#732079
18 有關運算放大器的應用,下列那個電路使用正回授電路? (A)反相放大器 (B)非反相放大器 (C)電壓隨耦器 (D)史密特觸發電路(Schmitt trigger circuit)
#732080
19 圖示之電路為: (A)整流電路 (B)倍壓電路 (C)濾波電路 (D)截波電路
#732081
20 在半導體中,載子的移動率相當於下列何者? (A)在單位電場強度下所產生的載子漂移速度 (B)載子的終端飽和速度 (C)載子的熱速度 (D)在單位濃度梯度下所產生的載子擴散速度
#732082
21 針對 p 型半導體材料之描述,下列何者正確? (A)內部大部分是帶正電荷可以游動的雜質離子(ions) (B)內部大部分是帶負電荷可以游動的雜質離子(ions) (C)內部大部分是帶正電荷可以游動的載子(carriers) (D)內部大部分是帶負電荷可以游動的載子(carriers)
#732083
22 矽晶接面二極體的等效電路模型中的擴散電容(Diffusion capacitance),由下列那一項物理現象所 形成? (A)接面空乏區 (B)金屬和半導體所形成的歐姆接觸 (C)接面的崩潰效應 (D)二極體順偏時的注入電荷
#732084
23 二極體在逆向偏壓時可當做電容器,當逆向偏壓變大,則: (A)電容量不變 (B)電容量變小 (C)電容量變大 (D)電容量先小後大
#732085
24 以數位電路之應用而言,相較於雙極性接面電晶體(BJT),有關金氧半場效電晶體(MOSFET)之 特性,下列何者正確? (A) MOSFET 具有較低之功率消耗,並需要較少的晶片面積 (B) MOSFET 具有較高之功率消耗,並需要較少的晶片面積 (C) MOSFET 具有較低之功率消耗,並需要較大的晶片面積 (D) MOSFET 具有較高之功率消耗,並需要較大的晶片面積
#732086
25 對一個增強型的NMOSFET,當其工作在夾止飽和區時,電流為iD = K (VGS – Vt) 2 (1 + λVDS),請問下 列敘述何者錯誤? (A)Vt> 0 (B)VGS> Vt (C)λ描述通道調變效應 (D)K和 成正比
#732087
26 如圖所示的振盪器電路,其中虛線所標示之電路的主要功能為何? (A)改變輸出信號電壓的振幅 (B)改變輸出信號的相位 (C)改變輸出信號的責任週期(duty cycle) (D)改變輸出信號的電流
#732088
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