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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28882
> 試題詳解
2 考慮下圖理想運算放大器電路,圖中 R
1
= 20 kΩ,R
2
= 10 kΩ,R
3
= 10 kΩ,RL = 10 kΩ,假設輸入電壓 vI = 5 V, 則 i3為多少?
(A)-0.25 mA
(B) 0.25 mA
(C) 0.5 mA
(D) 1 mA
答案:
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統計:
A(30), B(15), C(96), D(2), E(0) #979435
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/21
#1196344
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13
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/19
私人筆記#7651462
未解鎖
i3=Vo/(R3//RL)=-2.5...
(共 34 字,隱藏中)
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1
0
相關試題
下圖理想運算放大器電路中,若輸入 vI1 = 4 + 0.125 sinωt (V)、vI2 = -4 (V)時輸出 vo = -0.5 sinωt (V),則下列敘述何者正確? ..(A)R1 = 10 kΩ,R2 = 10 kΩ (B)R1 = 15 kΩ,R2 = 10 kΩ (C)R1 = 20 kΩ,R2 = 15 kΩ (D)R1 = 25 kΩ,R2 = 25 kΩ
#979436
4 在閘源極間未加偏壓下,增強型 MOSFET 之汲極與源極間的導通狀態是: (A)相通 (B)視通道種類而定(C) 不通 (D)處在飽和區
#979437
5 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 0.7 V、μnCox(W/L) = 25 μA/V2,今若其源極(Source)電壓 0.5 V,閘極 (Gate)電壓 1.0 V,汲極(Drain)電壓 1.5 V,則此電晶體工作在: (A)飽和區(Saturation region)(B) 截止區(Cutoff region) (C)三極體區(Triode region)(D) 主動區(Active region)
#979438
6 若 BJT 之 IC < βIB,則該 BJT 操作在: (A)主動模式(B) 截止模式 (C)飽和模式(D) 崩潰模式
#979439
7 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體(BJT),經實驗量測其基極 B 之電壓為 0 V,射極 E 的電壓為 +2 V, 集極 C 電壓為 +5 V,請問此電晶體在何工作區? (A)主動區(Active region)(B) 飽和區(Saturation region) (C)截止(Cutoff)(D) 逆向主動區(Reverse active region)
#979440
8 在下列選項中,那一項最不影響 p+ n 接面二極體的逆向飽和電流 IS? (A)p 型區的雜質濃度 NA(B) n 型區的雜質濃度 ND (C)pn 接面的接面面積 A(D) 溫度 T
#979441
9 在一矽本質半導體中加入五價的元素,若所加雜質濃度為 2 × 1015/cm3,且矽在室溫的本質濃度為1.45 × 1010/cm3,則此半導體在室溫時的電子濃度約為: (A) 2 × 1015/cm3 (B)2 × 1013/cm3 (C)1.45× 1010/cm3 (D)1.0× 105/cm3 .
#979442
10 如圖所示電路,U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD = 0.7 V。已知電阻 R1 = 1 kΩ、R2 = 2 kΩ、 R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當 vI = 3 V 時,對於輸出電壓 vO,下列敘述何者正確?(A)Vo > 2.5 V (B) 0V < Vo 2.5 V(C)-2.5 V < Vo 0 V(D)Vo -2.5 V.
#979443
11 如圖所示二極體電路,假設二極體導通電壓 VD = 0.7 V,已知電壓 vs(t) = 12 sin (120πt) V、R = 2 kΩ。試求輸 出電壓 vO絕對值的最大電壓約為多少? (A) 12 V(B) 11.3 V(C) 10.6 V(D) 9.2 V
#979444
12 如圖所示之電路,變壓器圈數比 N1:N2 = 2:1,輸入電壓 vi為一交流弦波,峰值為 100 V,頻率為 60 Hz, 二極體皆為理想,求輸出之平均直流電壓值約為何? (A)8 V(B) 12 V(C) 16 V(D) 25 V
#979445
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