試題詳解

5 某增強型 NMOS 場效電晶體的 V_t = 0.7 V、μ_nC_ox(W/L) = 25 μA/V²，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，閘極 （Gate）電壓 1.0 V，汲極（Drain）電壓 1.5 V，則此電晶體工作在：
(A)飽和區（Saturation region）
(B) 截止區（Cutoff region）
(C)三極體區（Triode region）
(D) 主動區（Active region）