5 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 0.7 V、μnCox(W/L) = 25 μA/V2,今若其源極(Source)電壓 0.5 V,閘極 (Gate)電壓 1.0 V,汲極(Drain)電壓 1.5 V,則此電晶體工作在:
(A)飽和區(Saturation region)
(B) 截止區(Cutoff region)
(C)三極體區(Triode region)
(D) 主動區(Active region)

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統計: A(19), B(123), C(6), D(7), E(0) #979438

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#1196363


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#5087339
因為Vgs<Vt 截止
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私人筆記#7651575
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