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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#46825
> 試題詳解
2 承上題圖中若加上 AND 閘,如下圖所示,此時 AND 閘的 B 輸入端對整個電路的輸出有何功用?
(A)微分 A
(B)積分 Z
(C)記憶消除
(D)放大 B
答案:
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統計:
A(4), B(2), C(76), D(6), E(0) #1210754
詳解 (共 1 筆)
yo
B1 · 2019/05/30
#3385760
B=1時 Y=A OR 0 = AB=0...
(共 32 字,隱藏中)
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相關試題
(1) (A)微分 輸入 (B)積分 輸出 (C)記憶 (D)放大
#1210753
3 如圖所示之串級電路,已知β1=β2=50,則此放大器的輸入阻抗(Ω)為: (A)1k (B) 50 k (C) 100 k (D) 2500 k
#1210755
4 下列電路Q1及Q2操作於何種區域?(提示:ID=Kn(VGS-Vtn )2) (A)Q1,Q2皆線性區 VDD=5 V (B)Q1飽和區,Q2線性區 (C)Q1,Q2皆飽和區 (D)Q1線性區,Q2飽和區
#1210756
5 承接前一題電路,其VO值約為: (A)1V (B)2V (C)3V (D)4V
#1210757
6 對n通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)與p通道金氧半場效電晶體(P-MOSFET)之臨界電壓( threshold voltage)Vt的敘述,下列何者正確? (A)常閉(normally off)NMOS之Vt>0,而常通(normally on)PMOS之Vt<0 (B)常通NMOS之Vt>0,而常通PMOS之Vt<0 (C)常閉PMOS之Vt>0,而常通PMOS之Vt<0 (D)常閉NMOS之Vt>0,而常通PMOS之Vt>0
#1210758
7 在矽晶接面二極體中,若增加 p 型區和 n 型區的摻雜濃度,下面那一項物理量會隨之上升? (A)空乏區厚度 (B)內建電壓(Built-in potential) (C)導通時的微分電阻 (D)崩潰電壓
#1210759
8 如圖電路,設運算放大器為理想的,則電壓增益Av=VO / VI為: (A)-R2 / R1 (B)+R2 / R1 (C)-(R1+R2) / R1 (D)+(R1+R2) / R1
#1210760
9 理想運算放大器具有虛擬短路(Virtual short circuit)性質,主要是由於下列何種特性所造成? (A)具有零輸出阻抗 (B)具有無窮大的輸入阻抗 (C)具有無窮大的頻寬 (D)具有無窮大的開迴路電壓增益
#1210761
10 在雙極性接面電晶體(BJT)直流偏壓電路下,就熱穩定特性而言,下列何者正確? (A)溫度增加,IC值降低,VCE降低 (B)溫度增加,IC值增加,VCE降低 (C)溫度增加,IC值降低,VCE增加 (D)溫度增加,IC值增加,VCE增加
#1210762
11 在雙極性接面電晶體(BJT)的小信號等效電路中,其傳輸電導(transconductance)gm與其大信號直 流操作電流IC及大信號直流操作電壓VCE之關係為何? (A)gm會隨IC的增加而增加 (B)gm會隨IC的增加而減少 (C)gm會隨VCE的增加而增加 (D)gm會隨VCE的增加而減少
#1210763
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