21 關於 n-MOSFET，其臨界電壓為 Vt，下列敘述何者錯誤？
(A)空乏型者可工作於 VGS < 0
(B) 增強型通常工作於 VGS > Vt
(C)空乏型之 Vt > 0
(D) 增強型之 Vt > 0

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統計： A(17), B(3), C(186), D(11), E(0) #979454

詳解 (共 2 筆)

#1337452
空乏型n-MOSFET可工作在VGS<0(空乏模式) 及 VGS>0(增強模式)
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#1337374
為什麼答案不是(A)?
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7652044
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