22 一個增強型 N 通道 MOS 電晶體，其臨限電壓為 V_t，當操作於飽和區時，其汲源間之電壓 V_DS最小應為：
(A)V_DS = V_GS
(B)V_DS =V_t
(C)V_DS = V_GS -V_t
(D)V_DS = V_GS +V_t

N 通道 MOS 電晶體，當操作於飽和區...