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初等/五等/佐級◆電子學大意
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109年 - 109 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#87181
> 試題詳解
26 圖中電晶體 Q1 之 β=100,V
BE(on)
=0.7 V,試求 V
o
=?
(A)4.95 V
(B)3.95 V
(C)2.95 V
(D)1.95 V
答案:
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統計:
A(159), B(15), C(17), D(8), E(0) #2354776
詳解 (共 1 筆)
調查電子、高考電子皆已上榜~求按讚
B1 · 2020/07/06
#4119622
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/19
私人筆記#7572476
未解鎖
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其他試題
22 使用有中心抽頭變壓器作為全波整流電路時,最少需搭配使用幾個二極體? (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個
#2354772
23 如圖所示之電路,其中電晶體之參數為 β=100,VT = 26 mV 且爾利(Early)電壓 VA =100 V,假定此 電路之直流偏壓電流 IC =0.84 mA,求其小信號輸出電阻 RO之值為何? (A)0.72 kΩ (B)1.41 kΩ (C)3.54 kΩ (D)4.67 kΩ
#2354773
24 假設一 MOSFET 的汲極電流固定,關於其轉導(gm)的敘述下列何者正確? (A)gm正比於 (B)gm正比於 (C)gm正比於 MOSFET 的過驅電壓(VGS-VTH) (D)gm正比於 W/L
#2354774
25 圖中電晶體 M1 之 μnCox(W/L)= 0.5 mA/V2,臨界電壓 VT = 0.8 V,若忽略通道調變效應,下列敘述何 者錯誤? (A)Vo1=1 V (B)M1 操作在線性區(Linear region) (C)Vgs1 = 2.8 V (D)若 M1 之(W/L)增加兩倍,Vo1之電壓維持不變
#2354775
27 電晶體的射-基極導通電壓視為定值且等於 0.7 V,如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直 流電壓 VECQ工作在 2.5 V 時,電阻 R 約為多少? (A)0.5 kΩ (B)1.5 kΩ (C)2.5 kΩ (D)3.5 kΩ
#2354777
28 增強型 MOSFET 放大器中 μnCox(W/L)= 4 mA/V2,已知的電阻值分別為 R1 =600 kΩ、R2 =300 kΩ、 R3 =2 kΩ 及 R4 =1 kΩ,且測得流經電阻 R3的直流偏壓電流為 2 mA,當 R3變為原來的 2 倍時,該放 大器小信號之電壓增益變為原來者約多少倍?放大器之偏壓電路可提供該 MOSFET 正確的工作區。 (A)0.5 倍 (B)1 倍 (C)2 倍 (D)4 倍
#2354778
29 一功率電晶體其接面最大溫度為 170℃,熱阻為 55℃/W,當操作溫度為 60℃時,其容許的最大發散 功率為何? (A)1 W (B)2 W (C)3 W (D)4 W
#2354779
30 圖示威爾遜電流鏡(Wilson current mirror)電路,各電晶體特性完全相同,IO為輸出電流,RO為輸出 阻抗,相較於一般的基本電流鏡電路,有關威爾遜電流鏡電路的敘述,下列何者錯誤? (A)降低 IO / IREF之比例 (B)降低電晶體之 β 效應 (C)提高輸出阻抗 RO (D)穩定輸出電流 IO
#2354780
31 有一操作於主動模式(active-mode)的雙極接面電晶體,當集極電流 IC =2 mA,其輸出電阻 ro=20 kΩ, 則當 IC =4 mA 時,其 ro值為何? (A)約降為 10 kΩ (B)約降為 14 kΩ (C)仍為 20 kΩ (D)約增為 40 kΩ
#2354781
32 如圖電路,電晶體工作於主動模式(active-mode),VBE = 0.7 V,β= 99,RB=100 kΩ,I=1 mA, VCC=5 V,-VEE=-5 V,則 VE值為: (A)- 1.7 V (B)- 0.7 V (C)0 V (D)0.7V
#2354782