109年 - 109 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#87181

1 某場效電晶體工作在飽和區，其 i_D-v_GS關係如圖所示，則此電晶體為： (A)增強型 NMOS (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS

3 如圖所示的 OP AMP 放大器，其輸出 v_O = -0.2 V。假若此輸出電壓是由偏移電壓（offset voltage）所 造成的。問偏移電壓之絕對值最接近下列何值？ (A)4 mV (B)20 mV (C)40 mV (D)200 mV

6 如圖，CMOS 場效電晶體的輸入端 v_I接 V_DD時，其輸出端 v_o是處於下列何種狀態？ (A)上拉（pull-up）至 V_DD (B)下拉（pull-down）至地 (C)V_DD/2 (D)Q_P與 Q_N皆關閉，輸出浮接

8 如圖所示之電路，設電晶體主動區之電流增益 β 為 40，則使此電晶體進入飽和區之最小 I_B值應為多少？ (A)2 mA (B)1 mA (C)0.5 mA (D)0.25 mA

 10 下列表示法，何者是 p 通道的接面場效電晶體（JFET）？ (A) (B) (C) (D)

11 圖中電路的放大器為一理想運算放大器，其電壓增益為何？ (A)-2 (B)-3 (C)-4 (D)-5

12 如圖所示之電路，如 A_o = ∞，電容器初始壓降 V_C (0) = 0，輸入訊號為一弦波，假使輸出振幅為輸入 訊號振幅的 5 倍且 RC = 0.8 μs，則輸入訊號之頻率值為何？ (A)1 MHz (B)2 MHz (C)3 MHz (D)4 MHz

15 下圖中，v_a (t)= 5 sin(10t)伏特，v_b (t)=6 sin(10t)伏特，v_c (t)=7 sin(10t)伏特，各二極體之導通電壓皆為 0.7 V， 導通電阻為 0 Ω，則電阻 R 之最大電流為何？ (A)3.3 mA (B)4.3 mA (C)5.3 mA (D)6.3 mA

16 下圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為 0，電容 C 之初始電壓為 0 V，v_i之輸入如圖所示， 下列敘述何者正確？(A)v_o之最高電壓為 5 V (B)v_o之最高電壓為 3 V (C)v_o之最高電壓為 2.5 V (D)v_o之最高電壓為 1 V

17 圖中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，若輸入電壓 v_i(t)=3 sin(10t)伏特，則 | i | 的最 大值為何？

(A)7 mA (B)10 mA (C)33 mA (D)40 mA

18 如圖所示之電路，假設二極體為理想，輸入電源為峰值 12 V 的正弦波，則其輸出電壓 v_out 之波形最 有可能為下列何者？ (A) (B) (C) (D)

19 如圖所示之電路，假設二極體為理想，若跨在 C₂與 C₄串聯上之直流電壓（V_c2+V_c4）為 80 V，則電 容 C₃跨壓為何？(A)20 V (B)40 V (C)60 V (D)80 V

 20 分析如圖之電路，若二極體之電流 ID可表示為 I_D =IS exp(V_D /V_T)，V_D為二極體之跨壓，V_T ＝25 mV， C1 與 C2 之電容值為無限大，則 v_o /v_i =？ (A)0 (B)0.5 (C)1 (D)2

21 如圖電路，設二極體均為理想二極體，R=10 kΩ，R₁=R₂=5 kΩ，V₁=V₂=5 V。當 v_I=3 V 時，v_O為多少？ (A)0 (B)3 V (C)6 V (D)8 V

23 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為 β=100，V_T = 26 mV 且爾利（Early）電壓 V_A =100 V，假定此 電路之直流偏壓電流 I_C =0.84 mA，求其小信號輸出電阻 R_O之值為何？ (A)0.72 kΩ (B)1.41 kΩ (C)3.54 kΩ (D)4.67 kΩ

24 假設一 MOSFET 的汲極電流固定，關於其轉導（g_m）的敘述下列何者正確？ (A)g_m正比於 (B)g_m正比於 (C)g_m正比於 MOSFET 的過驅電壓（VGS-VTH） (D)g_m正比於 W/L

 25 圖中電晶體 M1 之 μ_nC_ox(W/L)= 0.5 mA/V²，臨界電壓 V_T = 0.8 V，若忽略通道調變效應，下列敘述何 者錯誤？ (A)V_o1=1 V (B)M1 操作在線性區（Linear region） (C)V_gs1 = 2.8 V (D)若 M1 之（W/L）增加兩倍，V_o1之電壓維持不變

26 圖中電晶體 Q1 之 β=100，V_BE(on) =0.7 V，試求 V_o =？ (A)4.95 V (B)3.95 V (C)2.95 V (D)1.95 V

27 電晶體的射-基極導通電壓視為定值且等於 0.7 V，如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直 流電壓 V_ECQ工作在 2.5 V 時，電阻 R 約為多少？ (A)0.5 kΩ (B)1.5 kΩ (C)2.5 kΩ (D)3.5 kΩ

28 增強型 MOSFET 放大器中 μ_nC_ox(W/L)= 4 mA/V²，已知的電阻值分別為 R₁ =600 kΩ、R₂ =300 kΩ、 R₃ =2 kΩ 及 R₄ =1 kΩ，且測得流經電阻 R3的直流偏壓電流為 2 mA，當 R₃變為原來的 2 倍時，該放 大器小信號之電壓增益變為原來者約多少倍？放大器之偏壓電路可提供該 MOSFET 正確的工作區。 (A)0.5 倍 (B)1 倍 (C)2 倍 (D)4 倍

30 圖示威爾遜電流鏡（Wilson current mirror）電路，各電晶體特性完全相同，I_O為輸出電流，R_O為輸出 阻抗，相較於一般的基本電流鏡電路，有關威爾遜電流鏡電路的敘述，下列何者錯誤？ (A)降低 I_O / I_REF之比例 (B)降低電晶體之 β 效應 (C)提高輸出阻抗 R_O (D)穩定輸出電流 I_O

32 如圖電路，電晶體工作於主動模式（active-mode），V_BE = 0.7 V，β= 99，R_B＝100 kΩ，I＝1 mA， V_CC＝5 V，-V_EE＝-5 V，則 V_E值為： (A)- 1.7 V (B)- 0.7 V (C)0 V (D)0.7V

33 如圖所示為一個具有偏壓電源 V_R的施密特觸發電路（OPA 視為理想），其輸入-輸出（v_I-v_O）轉移特 性的上、下臨界輸入電壓分別為 V_UT = 9 伏特、V_LT = -3 伏特，則該偏壓電源 VR約為多少？ (A)2 伏特 (B)3.5 伏特 (C)5 伏特 (D)6 伏特

34 如圖所示為一方波產生電路，如果此電路中所有的電阻值都變成原來的 2 倍，則輸出訊號的週期將 變成原先的多少倍？ (A)1/4 (B)2 (C)4 (D)8 

35 β₁=8 的 p-n-p 電晶體和未知 β₂的 n-p-n 電晶體共同組合之電晶體對，測得該電晶體對之電路等效電流 增益大小為 β=135，決定其 n-p-n 電晶體未知的 β₂值約為多少？ (A)17 (B)15 (C)12 (D)8

36 如圖所示為一振盪器。電路中 OP AMP 輸出的上下限為±10 V。v_O1可輸出三角波（triangle wave）， 求三角波的峰對峰值（peak to peak value）？ (A)1 V (B)2 V (C)10 V (D)20 V

37 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的 β=100，V_BEactive = 0.7 V，C_π = 20 pF，C_μ = 5 pF，忽略 爾利效應。V_T = 25 mV，求高頻 3 dB 頻率（選最接近之值）？ (A)7.86 kHz (B)39.3 kHz (C)187 kHz (D)796 kHz

38 某二階濾波器其轉移函數為 ，其極點為何？ (A)± 2(B)-1±  (C)± j2 (D)-1 ± j

39 如圖振盪器電路中，若 R₁＝R₂＝R₃＝1 kΩ、R₄＝29 kΩ 且 C₁＝C₂＝C₃＝0.1 nF，則振盪頻率約為多少？ (A)450 kHz (B)550 kHz (C)650 kHz (D)750 kHz