1 某場效電晶體工作在飽和區,其 iD-vGS關係如圖所示,則此電晶體為:
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS
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統計: A(152), B(26), C(11), D(2), E(0) #2354751
統計: A(152), B(26), C(11), D(2), E(0) #2354751