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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 初等考試_電子工程:電子學大意#38824
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33如右圖所示之衛得勒電流源(Widlar Current Mirror),若 代表熱電壓(Thermal Voltage),則 的關係式為:
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A(4), B(3), C(8), D(37), E(0) #1109659
詳解 (共 1 筆)
joy13579a
B1 · 2021/07/14
#4902209
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其他試題
29如右圖所示電路, R1=R2=1kΩ , R3=R4=20kΩ,則 Vo =? (A)8V (B)-8V (C)0.4V (D)-0.4V
#1109655
30右圖為一個三級串接放大電路,若各級之電壓增益分別為10、20及25,而各級之電流增益 分別為10、4及5,則系統的總分貝功率增益為? (A)60dB (B)100dB (C)120dB (D)200dB
#1109656
31下列敘述何者不是達靈頓(Darlington)放大電路的特性? (A)輸入阻抗高 (B)電流增益高 (C)漏電流高 (D)電壓增益高
#1109657
32一個N-型半導體,其帶有的淨電荷為何? (A)負電荷 (B)正電荷 (C)電中性 (D)視所摻雜之雜質濃度而定
#1109658
34於純矽本質半導體中摻雜下列何種元素後,可形成N-型半導體? (A)鎵(Ga) (B)銦(In) (C)砷(As) (D)硼(B)
#1109660
35在N-通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)的小信號等效電路中,其互導 (transconductance)gm 與其閘極之寬長比(W/L)及閘極-源極電壓差VGS之關係,下列 何者正確? (A)gm 會隨(W/L)的增加而增加,並隨VGS的增加而增加 (B)gm 會隨(W/L)的增加而增加,並隨VGS的增加而減少 (C)gm 會隨(W/L)的增加而減少,並隨VGS的增加而增加 (D)gm 會隨(W/L)的增加而減少,並隨VGS的增加而減少
#1109661
36右圖所示之電路中,若D1 ,D2 均為理想二極體,則輸出電流I為何? (A)1 mA (B)2 mA (C)3 mA (D)4 mA
#1109662
37一個MOSFET完整的小信號等效電路模型如下所示,試問 Cgs產生的原因為何? (A)兩層隔開之導電層相互之間受電場感應堆積電荷所致 (B)pn接面於逆偏壓條件(reverse biased condition)下,pn兩層半導體在界面附近電荷 量變化所致 (C)pn接面於順偏壓條件(forward biased condition)下,導通電流在界面附近堆機電荷 所致 (D)半導體晶格內缺陷中心捕捉電荷,改變局部電荷分布所致
#1109663
38若一NMOS電晶體與一PMOS電晶體具有相匹配的特性,則除了Vtn =∣Vtp∣外,尚需下列何 者? (A)(W/L)n =(W/L)p (B)μn =μp (C)μn (W/L)n =μp (W/L)p (D)μn /(W/L)n =μp /(W/L)
#1109664
39關於共閘極(Common Gate)MOSFET放大器的敘述何者錯誤? (A)電壓增益>1 (B)輸入阻抗低 (C)電流增益≈1 (D)輸出阻抗低
#1109665