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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22359
> 試題詳解
33 若 T
ON
、T
OFF
分別代表二極體導通與關閉所需要的時間,則下列何者為正確?
(A) T
ON
>
>
T
OFF
(B) T
ON
≈ T
OFF
(C) T
ON
<<T
OFF
(D)
T
OFF
=0
答案:
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統計:
A(19), B(6), C(24), D(1), E(0) #852661
詳解 (共 2 筆)
【站僕】摩檸Morning.
B2 · 2016/09/17
#1465826
原本題目:33 若 TON、TOFF分別...
(共 260 字,隱藏中)
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張育騰(已考上初、普、高考)
B1 · 2016/09/04
#1458326
題目不完整
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相關試題
34 逆向偏壓的 pn 接面,其接面電容隨該逆向偏壓的增大有何變化? (A)增大 (B)減小 (C)無關 (D)視半導體之材質而定
#852662
35 有關運算放大器應用於積分電路時,下列敘述何者錯誤? (A)輸入方波時,輸出為三角波 (B)類似高通電路 (C)輸入正弦波時,輸出與輸入相位差為 90 度 (D)可以濾除高頻雜訊
#852663
36 假設在室溫之下,矽半導體之本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)ni為 1010 cm-3 ,若已知某一矽半 導體之電子濃度為 2× 1017 cm-3 ,則其電洞濃度為何? (A) 2× 1017 cm-3 (B) 2× 1027 cm-3 (C) 2× 107 cm-3 (D) 5× 102 cm-3
#852664
37 如下圖,已知二極體導通時的電壓為 0.6V、VPS = 5V、R =2 kΩ,則此電路之電流為: (A) 1.9 mA (B) 2.2 mA (C) 2.5 mA (D) 2.8 mA
#852665
38 現代 MOSFET 積體電路技術對於晶片面積甚為計較,因此在設計類比放大器時最常採用的偏壓(biasing) 電路技術是那一種電路?
#852666
39 MOSFET 中厄利效應(Early Effect)最主要之成因為何? (A)基板和閘極之間的 p-n 接面 (B)閘極和源極之間空乏區互相影響 (C)通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 (D)崩潰效應
#852667
40 順向偏壓的 pn 接面,當 p 型側的多數載子射入 n 型側後,即形成(對 n 型側而言): (A)多數載子的漂移電流 (B)多數載子的擴散電流 (C)少數載子的漂移電流 (D)少數載子的擴散電流
#852668
1 20 歐姆電阻通過 5 安培電流 1 分鐘,將產生多少仟卡的熱量? (A)1 (B)2 (C) 3.6 (D) 7.2
#852669
2 某導線長度 l,截面積 A,電阻係數為 ρ,則此電阻大小為多少?(A)(B)(C)(D)
#852670
3 某負載以直流 5 伏特供電,若消耗功率為 0.5 瓦,則此負載等效輸入電阻為多少歐姆? (A) 10 (B) 25 (C) 50 (D) 100
#852671
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