4 在下列各選項中，那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓（Threshold Voltage）Vt的影響最小：
(A)通道的寬長比 W/L
(B)氧化層的介電常數εαx
(C)氧化層的厚度tox
(D)半導體的雜質濃度 N

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統計： A(41), B(20), C(13), D(25), E(0) #979557

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#3687513
原本題目:4 在下列各選項中，那一個選項...
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4.4 在下列各選項中，那一個選項對...
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7679352
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題目解析：影響 MOS 臨界電壓 Vt...
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