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104年 - 104 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39446
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申論題
試卷：104年 - 104 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39446
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0
申論題資訊
試卷：
104年 - 104 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39446
科目：
半導體工程
年份：
104年
排序：
0
題組內容
二、閘極介電層製程含三層，材料之厚度分別為 30 nm（Al
2
O
3
）、20 nm（HfO
2
）及 10 nm（ SiO
2
），已知其介電常數（ dielectric constant）分別為 9（ Al
2
O
3
） 、 25（HfO
2
）及 3.9（SiO
2
），請求出：（每小題 10 分，共 20 分）
申論題內容
⑴三層堆疊換算成 SiO
2
之等效厚度（equivalent oxide thickness）為多少？
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