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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090
> 試題詳解
7 一般而言,DRAM 的內部記憶胞電路基本上是由那些元件所構成?
(A)一個電晶體
(B)一個電晶體及一個電容
(C)一個電晶體及一個電阻
(D)四個電晶體及兩個電阻
答案:
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統計:
A(2), B(67), C(6), D(9), E(0) #1214048
詳解 (共 1 筆)
DS2
B1 · 2020/10/25
#4336862
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8 雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor)若是工作在逆向作用區(reverse active mode),則射-基接 面(emitter-base junction)與集-基接面(collector-base junction)之偏壓狀態為何? (A)射-基接面順偏,集-基接面順偏 (B)射-基接面順偏,集-基接面逆偏 (C)射-基接面逆偏,集-基接面順偏 (D)射-基接面逆偏,集-基接面逆偏
#1214049
9 今有一雙極性接面電晶體(BJT),以三用電表測試各接腳之間的導通情形,測試結果如下表所示,則試判 斷 1 號接腳為: (A)射極(Emitter) (B)基極(Base) 不導通 (C)集極(Collector) 導通 (D)基板(Substrate)
#1214050
10 如圖是一個雙極性接面電晶體(BJT)放大器電路,已知電晶體的VBE = 0.7 V、β = 50、爾利(Early)效應 電壓VA = 20 V,假設C1、C2、CE三個電容值趨近於無窮大,此時電晶體放大器的輸出電阻Ro最接近下列何 值? (A) 14 kΩ (B) 10 kΩ (C) 4 kΩ (D) 3 kΩ
#1214051
11 如圖所示為一個二極體-電晶體邏輯閘(diode-transistor logic gate),此邏輯閘為: (A) NAND (B) NOR (C) NOT (D) AND
#1214052
12 如圖所示電路之功能為何? (A)低通濾波器 (B)帶通濾波器 (C)高通濾波器 (D)帶拒濾波器
#1214053
13 當在實現 MOSFET 的積體電路時,常常需要把其中許多 MOSFET 的源極和基板相接,此舉的目的為降低何 種效應? (A)爾利(Early)效應 (B)米勒(Miller)效應 (C)基板(Substrate or Body)效應 (D)崩潰(Breakdown)效應
#1214054
14 下列有關場效應電晶體臨限電壓(threshold voltage)Vt的敘述,何者正確? (A)n通道空乏型(depletion type)及n通道增強型(enhancement type)的Vt都為正值 (B)n通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值 (C)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值 (D)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為正值
#1214055
15 如圖示電路,n 通道增強型(enhancement type)場效應電晶體工作於: (A)截止區(cut-off region) VDD=10V (B)歐姆區(ohmic region) (C)飽和區(saturation region) 1kΩ (D)無法決定
#1214056
16 對MOSFET而言,當VGS = 0 時,有通道存在的是: (A)增強型 PMOSFET (B)增強型 NMOSFET (C)增強型 CMOSFET (D)空乏型 NMOSFET
#1214057
17 下列有關場效應電晶體放大器之敘述,何者正確? (A)共源極(common source)放大器之頻寬甚大於共閘極(common gate)放大器之頻寬 (B)共源極放大器之電壓增益甚大於共閘極放大器之電壓增益 (C)共汲極(common drain)放大器之輸出阻抗小於共源極及共閘極放大器之輸出阻抗 (D)共汲極放大器之電壓增益大於一
#1214058
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