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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090
> 試題詳解
11 如圖所示為一個二極體-電晶體邏輯閘(diode-transistor logic gate),此邏輯閘為:
(A) NAND
(B) NOR
(C) NOT
(D) AND
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統計:
A(23), B(0), C(3), D(12), E(0) #1214052
詳解 (共 1 筆)
joy13579a
B1 · 2021/07/11
#4890148
只有Vx跟Vy輸入為1時,輸出Vo等於0...
(共 64 字,隱藏中)
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12 如圖所示電路之功能為何? (A)低通濾波器 (B)帶通濾波器 (C)高通濾波器 (D)帶拒濾波器
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13 當在實現 MOSFET 的積體電路時,常常需要把其中許多 MOSFET 的源極和基板相接,此舉的目的為降低何 種效應? (A)爾利(Early)效應 (B)米勒(Miller)效應 (C)基板(Substrate or Body)效應 (D)崩潰(Breakdown)效應
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14 下列有關場效應電晶體臨限電壓(threshold voltage)Vt的敘述,何者正確? (A)n通道空乏型(depletion type)及n通道增強型(enhancement type)的Vt都為正值 (B)n通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值 (C)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值 (D)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為正值
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15 如圖示電路,n 通道增強型(enhancement type)場效應電晶體工作於: (A)截止區(cut-off region) VDD=10V (B)歐姆區(ohmic region) (C)飽和區(saturation region) 1kΩ (D)無法決定
#1214056
16 對MOSFET而言,當VGS = 0 時,有通道存在的是: (A)增強型 PMOSFET (B)增強型 NMOSFET (C)增強型 CMOSFET (D)空乏型 NMOSFET
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17 下列有關場效應電晶體放大器之敘述,何者正確? (A)共源極(common source)放大器之頻寬甚大於共閘極(common gate)放大器之頻寬 (B)共源極放大器之電壓增益甚大於共閘極放大器之電壓增益 (C)共汲極(common drain)放大器之輸出阻抗小於共源極及共閘極放大器之輸出阻抗 (D)共汲極放大器之電壓增益大於一
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18 在 npn 射極隨耦器(Emitter follower)中,那一個端點接最正電壓? (A)集極(Collector) (B)源極(Source) (C)閘極(Gate) (D)基極(Base)
#1214059
19 今比較兩個利用電流源產生偏壓之MOSFET放大器電路如圖 1 與圖 2 所示。其中,輸入信號由電晶體Q1的 閘極端饋入,偏壓VBIAS1、VBIAS2使電晶體Q1、Q2均保持在飽和區內工作。則圖 1 中電晶體Q2所提供的額外 作用不可能是下列何者? (A)提高電壓增益 (B)提高輸入阻抗 (C)提高高頻響應的頻寬 (D)提高電壓增益與響應頻寬的乘積(gain-bandwidth product)
#1214060
20 今有一BJT放大器電路的小信號電路如圖所示,已知rπ = 2.6 kΩ、β = 100、忽略爾利(Early)效應。今定義 vo 開路電壓增益(open-circuit voltage gain) 。則Avo最接近的增益值為: (A)-160 V/V (B)條件不足 (C) 20 V/V (D) 50 V/V
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21 雙極性接面電晶體所構成的基本放大器電路組態中,輸出阻抗最低者為: (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共源極組態
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