1 如圖所示電路，若電晶體飽和之VCE sat＝0.2 V，IRL＜VCC－0.2 V，則輸出電壓υO之最負值υO min為： (A)-VCC+2 V (B)-VCC (C)-VCC－0.2 V (D)- I•RL

1 如圖所示電路，若電晶體飽和之V_{CE sat}＝0.2 V，IR_L＜V_CC－0.2 V，則輸出電壓υO之最負值υ_{O min}為：

(A)-V_CC+2 V
(B)-V_CC
(C)-V_CC－0.2 V
(D)- I•RL

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統計： A(1), B(6), C(11), D(26), E(0) #1108669

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B2 · 2017/05/05

#2172882

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張育騰(已考上初、普、高考)

B1 · 2016/10/10

#1478635

求解

6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？ (A)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance）gm較操作在三極管區（Triode Region）時大 (B)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）時之輸出阻抗ro較操作在三極管區（Triode Region）時小 (C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高 (D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電

1 如圖所示電路，若電晶體飽和之V_{CE sat}＝0.2 V，IR_L＜V_CC－0.2 V，則輸出電壓υO之最負值υ_{O min}為：
(A)-V_CC+2 V
(B)-V_CC
(C)-V_CC－0.2 V
(D)- I•RL

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