試題詳解

6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？
(A)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance）gm較 操作在三極管區（Triode Region）時大
(B)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）時之輸出阻抗ro較操作在三極管 區（Triode Region）時小
(C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高
(D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電