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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38796
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12 NAND Flash 記憶體其特性及應用,何者錯誤?
(A)讀取速度比 NOR Flash 快
(B)可儲存大量資料
(C)數位相機
(D) MP3
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統計:
A(26), B(14), C(8), D(2), E(0) #1108680
詳解 (共 2 筆)
sv(邀請碼232196)
B1 · 2017/05/19
#2201530
NOR的讀速度比NAND稍快一些。 NA...
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nba17240
B2 · 2021/09/08
#5076286
nor flash 比 nand fla...
(共 25 字,隱藏中)
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相關試題
1 如圖所示電路,若電晶體飽和之VCE sat=0.2 V,IRL<VCC-0.2 V,則輸出電壓υO之最負值υO min為: (A)-VCC+2 V (B)-VCC (C)-VCC-0.2 V (D)- I•RL
#1108669
2 如圖所示電路若為帶通濾波器(Band Pass Filter),則下列那一項R1、R2、C1、C2組合之設計值錯誤? (A)R1=1 kΩ,C1=0.01 μF,R2=2 kΩ,C2=0.1 μF (B)R1=2 kΩ,C1=0.01 μF,R2=1 kΩ,C2=0.1 μF (C)R1=1 kΩ,C1=0.1 μF,R2=2 kΩ,C2=0.01 μF (D)R1=5 kΩ,C1=0.1 μF,R2=50 kΩ,C2=0.05 μF
#1108670
3 如圖所示,利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路,若VCC=5 V且輸入電壓VA=0 V且VB =5 V,則下列敘述何者正確? (A) Q2導通、Q3導通、Q4不導通、輸出電壓VO=High (B)Q2導通、Q3導通、Q4導通、輸出電壓VO=High (C) Q2不導通、Q3不導通、Q4不導通、輸出電壓VO=Low(D)Q2不導通、Q3不導通、Q4導通、輸出電壓VO=Low
#1108671
4 如圖所示電路,其中R1C1>R2C2,則AV=Vo/Vi的頻率響應圖是下列何者?
#1108672
5 如圖所示電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12 V、R1=20 kΩ、R2=40 kΩ,當vI為 1 V時, 此輸出電壓vO為何? (A)-2 V (B) 2 V (C) 3 V (D) 12 V 或-12 V 皆有可能
#1108673
6 關於增強型金氧半場效電晶體(MOSFET)之敘述,下列何者錯誤? (A)固定汲極電流ID條件下,電晶體操作在飽和區(Saturation Region)之轉移電導值(Transconductance)gm較 操作在三極管區(Triode Region)時大 (B)固定汲極電流ID條件下,電晶體操作在飽和區(Saturation Region)時之輸出阻抗ro較操作在三極管 區(Triode Region)時小 (C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高 (D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電
#1108674
7 如圖的電流鏡電路中,電晶體Q1、Q2具相同特性,其臨限電壓為Vt。要使輸出電流Io最接近IREF,則 輸出電壓Vo應: (A)Vo=VGS (B)Vo=Vt (C)Vo=VGS-V t (D)Vo=VGS+Vt
#1108675
8-3 8 如圖所示之增強(Enhancement)型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,已知在工作點的轉移電 導(Transconductance)gm為 1.5 mS,閘源極臨界電壓(Threshold Voltage)VGS(th)為 3 V,不考慮接 面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響,則此放大器的電壓增益Av(=Vo/Vi)約為多少? (A) 13.3(B)9.8(C) 6.5 (D) 3.3
#1108676
9 一個p+n接面二極體,其p型側的雜質濃度NA,遠大於n型側的雜質濃度ND,則在下列四個選項中,那一 項對p+n接面二極體的逆向飽和電流IS的影響最小? (A)接面面積 (B)溫度 (C)p型區雜質濃度NA (D)n型區雜質濃度ND
#1108677
10 圖中電晶體β=100,VBE(sat)=0.8 V及VCE(sat)=0.2 V,若要使電晶體在飽和區工作,則最大值RB約為:(A) 520 kΩ (B) 430 kΩ (C) 340 kΩ (D) 210 kΩ
#1108678
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