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試題詳解

試卷:99年 - 99 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38796 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:99年 - 99 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38796

年份:99年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

8-3 8 如圖所示之增強(Enhancement)型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,已知在工作點的轉移電 導(Transconductance)gm為 1.5 mS,閘源極臨界電壓(Threshold Voltage)VGS(th)為 3 V,不考慮接 面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響,則此放大器的電壓增益Av(=Vo/Vi)約為多少?
(A) 13.3
(B)9.8
(C) 6.5  
(D) 3.3 
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詳解 (共 1 筆)

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