11 場效電晶體（FET）工作在飽和區（saturation region）的轉導（transconductance）gm定義為： 


(A)  ,即當電壓vDS固定於VDS,電流iD對電壓vDS的變化率 

(B),即當電壓vGS固定於VGS,電流iD對電壓vGS的變化率 

(C)   ,即當電壓vDG固定於VDG,電流iG對電壓vDG的變化率 

(D) ,即當電壓vGS固定於VGS,電流iG對電壓vGS的變化率

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統計： A(14), B(100), C(1), D(3), E(0) #1074407