阿摩線上測驗
13 考慮一加強型NMOS電晶體，於VGS = 3.3 V且 VDS = 2 V時量得電流 ID = 1.5 mA，同一製程之電晶體
若在相同操作電壓下欲得到更大之電流，可藉由下列何項方式達成？
(A)選擇閘氧化層（gate oxide）厚度較厚之元件
(B)選擇通道長度（channel length）較長之元件
(C)選擇通道寬度（channel width）較大之元件
(D)使基板（substrate）偏壓由 VSB = 0V至VSB = 2V
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統計： A(1), B(3), C(31), D(1), E(0) #1241298
統計： A(1), B(3), C(31), D(1), E(0) #1241298
