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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22359
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14 如圖所示的邏輯電路,此電路的功能為:
(A) NAND
(B) NOR
(C) XOR
(D) AND
答案:
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統計:
A(5), B(2), C(39), D(0), E(0) #852642
詳解 (共 1 筆)
a0987201846
B1 · 2019/09/01
#3565437
(共 1 字,隱藏中)
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15 關於序向邏輯(Sequential Logic),下列敘述何者正確? (A)與輸入函數無關,與先前輸入值無關 (B)與輸入函數無關,與先前輸入值有關 (C)與輸入函數有關,與先前輸入值無關 (D)與輸入函數有關,與先前輸入值有關
#852643
16 對於動態隨機存取記憶體(DRAM)與靜態隨機存取記憶體(SRAM)工作方式比較的敘述,下列何者正確? (A) DRAM 內記憶胞(memory cell)的資料(data)會隨時間變化 (B) DRAM 內記憶胞(memory cell)的陣列結構可隨時調整 (C) SRAM 內記憶胞(memory cell)的資料(data)在無電源供應情形下也能靜態維持準位 (D) SRAM 內記憶胞(memory cell)的陣列結構在無電源供應情形下也能靜態維持不變
#852644
17 有一邏輯電路執行 ,則下列何者正確? (A) A = 0,B = 0;Y = 0 (B) A = 0,B = 1;Y = 0 (C) A =1,B = 0;Y = 0 (D) A = 1,B = 1;Y = 0
#852645
18 變容二極體可以應用於下列何種電路? (A)比較電路 (B)轉換電路 (C)諧振電路 (D)數位電路
#852646
19 需要週期性的更新(periodic refresh)以防止儲存資訊流失的是: (A)唯讀記憶體(ROM) (B)靜態隨機存取記憶體(SRAM) (C)動態隨機存取記憶體(DRAM) (D)所有記憶體均需要週期性的更新
#852647
20 圖所示電路中,BJT 之 VCE值約為: (A) 6.5 V (B) 7.4 V (C) 8.3 V (D) 9.2 V
#852648
21 雙極性接面電晶體(BJT)放大器的下列組態中,何者的電壓增益較小? (A) CE 組態 (B) CB 組態 (C) CC 組態 (D)疊接(cascode)組態
#852649
22 一般功率放大器最高功率轉換效率(power conversion efficiency)的大小次序為何? (A) A 類≥ AB 類≥ B 類 (B) A 類≥ B 類≥ AB 類 (C) AB 類≥ B 類≥ A 類 (D) B 類≥ AB 類≥ A 類
#852650
23 雙極性接面電晶體若用於數位電路中,則其主要功能是: (A)整流 (B)放大 (C)開關 (D)濾波
#852651
24 當 BJT 直流偏壓電路之操作點落於下列何區域,此電路方能應用於交流類比放大電路? (A)截止區 (B)順向作用區(forward active region) (C)逆向作用區(reverse active region) (D)飽和區
#852652
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